时间：2025/5/8 10:23:06
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IRGP4062DPBF是由英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用Pb-Free封装，符合RoHS标准，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
这款MOSFET具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。其封装形式为TO-252 (DPAK)，适用于表面贴装工艺。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：37A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：37nC（典型值）
总热阻（结到环境）：40°C/W
工作结温范围：-55°C至175°C
IRGP4062DPBF具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，特别适合高电流应用。
2. 较小的栅极电荷，可降低开关能耗，提升工作效率。
3. 高雪崩能量能力，增强在异常条件下的耐用性。
4. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
5. 符合RoHS标准的环保设计，支持无铅焊接工艺。
该MOSFET主要应用于需要高效功率转换和低损耗的场景中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 汽车电子中的负载开关和继电器替代
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
由于其出色的电气特性和可靠性，IRGP4062DPBF成为许多高性能功率管理解决方案的理想选择。
IRLR7846PBF, FDP16N60E, AOT290L
