型号：QK008NH4RP
　　制造商：Qorvo
　　晶体管类型：增强型GaN HEMT
　　封装类型：表面贴装，塑封
　　工作频率范围：2.5 GHz ~ 3.8 GHz
　　输出功率（Pout）：8 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　漏极电压（Vd）：28 V
　　漏极电流（Id）：200 mA（静态）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称）
　　封装尺寸：5 mm × 5 mm
　　工作温度范围：-40 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C ~ +150 °C
　　热阻（Rth）：3.5 °C/W
　　输入回波损耗：12 dB（典型）
　　输出回波损耗：10 dB（典型）

QK008NH4RP的核心优势在于其基于GaN-on-SiC技术平台所实现的高功率密度与高效率表现。氮化镓材料具有宽禁带、高电子饱和速度和高临界电场强度等物理特性，使其能够在较高电压下工作，同时承受更高的功率密度而不会发生击穿。结合碳化硅衬底优异的导热性能，该器件在持续高功率输出时仍能维持较低的结温，显著提升长期运行的可靠性和寿命。这种材料组合特别适用于需要长时间满负荷运行的军事雷达或基站发射系统。
　　该器件具备良好的线性度和增益稳定性，在整个工作频带内增益波动小于±0.8 dB，确保信号放大过程中频率响应的一致性，减少后续均衡处理的复杂度。其输入和输出端口设计为接近50欧姆的阻抗匹配状态，降低了外部匹配网络的设计难度，缩短产品开发周期。同时，较低的输入回波损耗和输出回波损耗意味着更少的能量反射，提高了系统的整体效率并减少了驻波比对前端电路的影响。
　　QK008NH4RP采用增强型（E-mode）设计，即常关型结构，这使得其在栅极电压为零时处于关闭状态，提升了系统安全性，并简化了偏置电源设计，尤其适合需要快速开关控制的应用场景。相比耗尽型GaN器件，无需负压供电即可实现正常开启，降低了外围电路复杂度和成本。此外，器件内部集成了优化的热通路设计，热量可高效传导至PCB散热层，进一步增强散热能力。
　　在可靠性方面，QK008NH4RP经过严格的环境应力测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温高压存储（HTOL）和温度循环试验，符合工业级和部分军用标准要求。其封装采用模塑料密封技术，有效防止湿气侵入和离子污染，提高了在恶劣环境下的耐用性。对于高可用性系统而言，这种级别的可靠性至关重要。

QK008NH4RP主要用于高性能射频功率放大器模块，适用于多种通信与传感系统。在无线通信领域，它被广泛用于4G LTE和5G NR宏基站的功率放大单元，特别是在3.5 GHz频段附近的应用中表现出色，能够满足大规模MIMO天线系统对高效率和高线性度的要求。通过适当设计预失真电路，可进一步提升其在复杂调制信号下的表现，如OFDM和64-QAM等。
　　在国防与航空航天领域，该器件适用于相控阵雷达、电子战系统和战术通信设备。其高输出功率和快速响应能力使其成为脉冲雷达发射链路中的关键组件，能够在短时间内提供高峰值功率输出，提升探测距离和分辨率。同时，由于其宽带特性，支持多频段跳变和多功能集成，适应现代战场复杂的电磁环境需求。
　　在卫星通信地面站设备中，QK008NH4RP可用于上行链路功率放大，支持C波段和部分扩展S波段的操作，确保远距离数据传输的稳定性与完整性。其低噪声系数和高动态范围也有助于提升接收系统的灵敏度，尤其是在弱信号条件下的解调能力。
　　此外，该器件还可应用于工业加热、射频能量传输、医疗射频治疗设备以及科研实验装置中，在这些非通信类应用中，稳定的高功率输出和耐久性是核心需求。得益于其紧凑的封装形式，QK008NH4RP也适合集成到小型化模块中，便于构建轻量化、高密度的射频子系统。

QPD1010
　　QPD1020
　　CGHV1J885FA