型号：IRGBC30MD2-S
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CoolMOS? C3
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：11A @ 100°C
　　脉冲漏极电流(Id_pp)：44A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：170mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：57nC @ Vgs=10V
　　输入电容(Ciss)：1290pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间(trr)：86ns
　　二极管反向恢复电荷(Qrr)：2.2μC
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：通孔
　　封装/外壳：TO-220

IRGBC30MD2-S的核心优势在于其基于超结（Superjunction）原理的CoolMOS? C3技术，这种结构通过交替排列的P型和N型掺杂区域实现极高的漂移区掺杂浓度，在维持高击穿电压的同时大幅降低Rds(on)，从而提升器件的整体能效。相较于传统平面或沟槽MOSFET，该器件在650V等级下实现了更优的“品质因数”（FOM = Rds(on) × Qg），使其特别适合用于高频率工作的PFC电路，有效减少传导损耗与开关损耗之间的权衡矛盾。此外，其内置的快速体二极管经过专门优化，具备较低的反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，能够显著抑制dv/dt引起的电压尖峰和振荡，提高系统可靠性并降低EMI滤波器的设计难度。这一特性在连续导通模式PFC中尤为重要，因为在每个开关周期内体二极管都会经历导通与关断过程，若恢复特性不佳将导致严重能量损耗甚至器件失效。该器件还具备出色的热稳定性和雪崩耐受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下安全运行。其TO-220封装提供了良好的散热路径，便于通过散热片进一步增强热管理性能。同时，器件的栅极驱动电压范围宽（最高可达±30V），兼容主流驱动IC输出，增强了系统设计的灵活性。值得一提的是，IRGBC30MD2-S在制造过程中采用了稳健的质量控制流程，并通过AEC-Q101等可靠性测试标准的部分验证，确保其在工业级应用中的长期稳定性。
　　此外，该MOSFET具有较低的输入和输出电容，有助于减少高频下的动态损耗，并支持更高的开关频率操作，进而减小磁性元件体积，提升电源功率密度。其阈值电压（Vth）典型值约为3.3V，确保在正常驱动条件下可靠开启，同时避免因噪声干扰导致误触发。综合来看，IRGBC30MD2-S不仅在电气性能上表现卓越，还在系统集成度、可靠性和环保合规方面达到了先进水平，是现代高效电源设计中的理想选择之一。

IRGBC30MD2-S广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其是在功率因数校正（PFC）阶段表现突出。它常用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的升压型PFC电路，常见于服务器电源、通信电源、工业自动化设备电源以及高端消费类电子产品电源模块中。由于其具备集成快速恢复体二极管的特性，特别适用于那些需要频繁进行能量回馈或存在反向电流路径的应用场景，例如在交错式PFC或多相整流电路中作为主开关器件使用。此外，该器件也可用于硬开关和准谐振反激变换器、LLC谐振转换器的辅助开关、太阳能微型逆变器以及UPS不间断电源系统中。在电动工具充电器、LED驱动电源和家电变频器等对效率和空间有较高要求的产品中，IRGBC30MD2-S凭借其高功率密度和低损耗特性，成为设计师优选方案之一。其650V电压等级适配全球通用交流输入范围（85–265VAC），可在不同电网环境下稳定运行。得益于其优异的热性能和可靠的封装结构，该器件也适用于密闭或通风不良的工业环境，保障系统长时间连续运行的稳定性与安全性。

IPD90N65C3
　　SPW47N60C3
　　STW49N65M5
　　IKW40N65RH5