IRGB5B120KDPBF. 时间：2025/12/26 21:17:54 阅读：20

IRGB5B120KDPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，专为高效率、高电压和高功率应用设计。该器件属于英飞凌的硬开关IGBT系列，适用于需要在1200V电压等级下工作的工业与能源系统。IRGB5B120KDPBF采用先进的沟道栅场截止（Trench Field-Stop）技术制造，具备低导通压降（Vce(sat)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，使其成为逆变器、电机驱动和感应加热等应用中的理想选择。该IGBT封装于高可靠性、易于安装的TO-247封装中，具有优良的散热能力和电气隔离特性，适合在高温和高负载环境下长期稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级认证，确保其在严苛工作条件下的可靠性和安全性。由于其出色的动态与静态电学特性，IRGB5B120KDPBF被广泛应用于新能源发电、电动汽车充电系统、工业电源以及高端电力电子变换装置中。

参数

型号：IRGB5B120KDPBF
　　类型：IGBT单管
　　集电极-发射极击穿电压（Vces）：1200 V
　　集电极电流（Ic @ 25°C）：35 A
　　集电极电流（Ic @ 100°C）：22 A
　　集电极峰值电流（Icm）：70 A
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20 V
　　导通压降（Vce(sat) @ Ic=35A, Vge=15V）：1.8 V（典型值）
　　开关频率：可达50 kHz以上
　　输入电容（Cies）：约2.6 nF
　　输出电容（Coes）：约0.36 nF
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于60 ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247-3

特性

IRGB5B120KDPBF采用了英飞凌领先的沟道栅场截止（Trench Field-Stop）IGBT工艺，这种结构显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。其核心优势在于低Vce(sat)，在额定工作电流下仅为1.8V左右，这意味着在大电流导通状态下产生的热量更少，从而减少散热器尺寸并提高系统功率密度。同时，该IGBT具备快速开关能力，能够支持高达50kHz甚至更高的开关频率，适用于高频逆变电路设计，有助于减小无源元件如电感和变压器的体积。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，在突发过载或负载突变情况下仍能保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。其栅极驱动特性经过优化，对标准驱动信号兼容性强，无需复杂的预驱电路即可实现高效控制。此外，TO-247封装提供了优良的热传导路径，使得结到壳的热阻较低，有利于长时间高负荷运行时的温度管理。
　　IRGB5B120KDPBF在电磁干扰（EMI）方面也表现出色，得益于其可控的开关dV/dt和di/dt特性，配合适当的PCB布局和滤波设计，可有效降低传导和辐射干扰，满足工业设备的EMC要求。该器件还具备负温度系数的Vce(sat)，便于多管并联使用时实现自动均流，提升大功率系统的扩展性和可靠性。总体而言，这款IGBT结合了高性能、高可靠性和易用性，是现代中高功率电力电子系统中的关键组件。

应用

IRGB5B120KDPBF主要用于各类中高功率电力电子变换系统中。常见应用包括工业电机驱动器，如交流变频器和伺服驱动系统，其中需要高效地将直流电转换为可调频可调压的三相交流电以控制电机转速与扭矩。此外，它也被广泛用于太阳能光伏逆变器中，作为DC-AC转换的核心开关元件，承担将太阳能板产生的直流电高效转化为电网兼容的交流电的任务。
　　在感应加热设备中，例如电磁炉、金属熔炼炉和热处理系统，该IGBT因其高频开关能力和耐高压特性而被用于构建谐振逆变电路，实现高效的能量传输与精确的温度控制。同时，它也适用于不间断电源（UPS）、焊接电源以及电动汽车车载充电机（OBC）等高要求电源系统中，提供稳定的功率切换功能。
　　由于其1200V的高耐压能力和较强的电流承载性能，IRGB5B120KDPBF特别适合用于三相整流后母线电压在700V~800V级别的系统中，能够在保证安全裕度的同时实现较高的系统效率。在智能电网相关设备、电能质量调节装置以及储能系统双向变流器中也有潜在的应用价值。其高可靠性和宽温区适应性也使其可用于环境较为恶劣的工业现场和户外设备中。