型号：IRG7R313U
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：7.2 A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28.8 A
　　导通电阻（RDS(on)）：310 mΩ（max @ VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：950 pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：260 pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大功耗（Ptot）：150 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

IRG7R313U具备多项先进电气与物理特性，使其在中高压功率开关应用中表现卓越。首先，其650V的漏源击穿电压使其适用于通用离线式开关电源设计，尤其是在PFC（功率因数校正）升压级和LLC谐振转换器中，能够在输入电压波动较大的情况下保持稳定运行。器件的导通电阻最大为310mΩ，在同类650V N沟道MOSFET中处于合理水平，有助于减少导通期间的I2R损耗，提升整体能效。通过优化的芯片设计，该MOSFET实现了较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），从而降低了高频开关过程中的驱动损耗和总开关损耗，特别适合工作频率在50kHz至200kHz范围内的拓扑结构。
　　其次，IRG7R313U采用了英飞凌成熟的Superjunction（超结）技术，这种结构通过交替的P型和N型柱状区域平衡电场分布，显著提升了器件的耐压能力同时减小了导通电阻。相比传统平面型MOSFET，超结结构在相同硅片面积下实现了更高的功率密度和更优的性能指标。此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-247封装提供了较大的焊接触点面积和低热阻路径，典型结到壳热阻（RthJC）约为0.83°C/W，有利于热量从芯片传导至散热器，防止局部过热导致失效。
　　在可靠性方面，IRG7R313U经过严格测试，具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，可在瞬态过压或短路事件中维持功能完整性。其体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约35ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了在桥式电路中产生电压尖峰的风险。同时，该器件支持宽范围的栅极驱动电压（通常为10V~15V），兼容主流驱动IC输出电平，便于系统集成。综合来看，IRG7R313U在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是工业级电源设计中的优选器件之一。

IRG7R313U广泛应用于多种高效率电力电子系统中。在AC-DC电源领域，它常用于反激式、正激式以及LLC谐振转换器的主开关或同步整流拓扑中，尤其适用于适配器、充电器和服务器电源等设备。在PFC（功率因数校正）电路中，该MOSFET作为升压斩波开关使用，帮助实现接近1的功率因数并满足国际能效标准如Energy Star和80 PLUS认证要求。此外，在DC-DC变换器中，如半桥或全桥拓扑结构中，IRG7R313U可用于中等功率等级的能量转换模块，提供稳定的开关性能。
　　在可再生能源系统中，IRG7R313U也被用于小型光伏逆变器和微型逆变器的直流侧开关单元，配合MPPT（最大功率点跟踪）算法实现高效能量提取。在UPS（不间断电源）系统中，该器件可用于逆变级或DC-DC预稳压级，确保市电中断时负载持续供电。工业应用方面，它常见于电机驱动器的辅助电源、焊接设备电源模块以及医疗电源系统中，因其具备良好的EMI特性和温度稳定性，能够在恶劣电磁环境和高温条件下长期运行。
　　此外，由于其TO-247封装便于安装散热器并具备良好的绝缘性能，IRG7R313U也适用于需要高安全隔离等级的工业和医疗设备。在照明电源（如LED驱动电源）中，该器件可用于恒流控制的高频开关电路，提高光效并延长灯具寿命。总体而言，IRG7R313U凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，已成为众多中高端电源设计中的关键元件。

IPW60R310E
　　STF7N60M2
　　FQP6N60C
　　SPW30N60CFD