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IRG7PH42UDPBF 发布时间 时间:2023/3/9 14:15:11 查看 阅读:192

    类别:分离式半导体产品

    家庭:IGBT - 单路

    系列:-

  

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概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:IGBT - 单路

    系列:-

    IGBT 类型:沟道

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V

    Vge, Ic时的最大Vce(开):2V @ 15V, 30A

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):85A

    功率 - 最大:320W

    输入类型:标准型

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247-3 (直引线), TO-247AC

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-247AC


资料

厂商
Infineon / IR

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IRG7PH42UDPBF参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)85A
  • 功率 - 最大320W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AC
  • 包装管件