型号：UMX18NTN
　　制造商：Nexperia (安世半导体)
　　封装类型：SOT886 (UDFN1818D)
　　引脚数：4
　　沟道类型：N 沟道
　　工作模式：增强型
　　漏源电压 VDS：20 V
　　栅源电压 VGS：±12 V
　　连续漏极电流 ID：1.8 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流 IDM：7 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：220 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) typ @ VGS = 4.5 V：175 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 2.5 V：270 mΩ
　　阈值电压 VGS(th) min：0.65 V
　　阈值电压 VGS(th) max：1.0 V
　　输入电容 Ciss：390 pF @ VDS=10V
　　输出电容 Co(s)s：150 pF @ VDS=10V
　　反向传输电容 Crss：45 pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间 td(on)：6 ns
　　关断延迟时间 td(off)：10 ns
　　上升时间 tr：7 ns
　　下降时间 tf：5 ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C

UMX18NTN 具备多项关键特性，使其成为高性能低功耗应用的理想选择。首先，其超小型 SOT886 封装（1.8 mm × 1.8 mm）极大地节省了印刷电路板（PCB）空间，适用于对尺寸极为敏感的可穿戴设备、智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。尽管体积小巧，但该封装具备良好的散热性能，通过底部的裸露焊盘有效传导热量至 PCB，从而提高器件的持续载流能力和可靠性。其次，该 MOSFET 在低栅极驱动电压下表现出色，在 VGS = 2.5 V 时最大 RDS(on) 仅为 270 mΩ，这使得它能够直接由 3.3 V 或更低电压的逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了整体功耗。这种低压驱动能力对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　第三，UMX18NTN 拥有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，同时减少了开关损耗，提升了系统的转换效率。这对于高频开关应用如 DC-DC 转换器、同步整流等场景至关重要。此外，快速的开关速度（开启延迟约 6 ns，关断延迟约 10 ns）确保了精确的时序控制和高效的能量传递。第四，该器件具有稳定的阈值电压范围（0.65 V ~ 1.0 V），保证了良好的器件一致性与可控性，避免误触发或开启不完全的问题。第五，UMX18NTN 符合 RoHS 和 REACH 环保标准，并且无卤素，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。最后，其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费类多种应用场景。

UMX18NTN 广泛应用于各种需要小型化、高效能 N 沟道 MOSFET 的场合。其典型应用包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制显示屏背光、摄像头模块、传感器或其他外设的电源通断，以实现节能和电源管理功能。在电池管理系统中，它可以作为充放电路径上的开关元件，配合保护 IC 实现过流或短路保护。此外，该器件常用于 DC-DC 同步降压或升压转换器中的低边开关（low-side switch），尤其是在轻负载或中等功率条件下，其低导通电阻和快速响应特性有助于提升整体转换效率。在热插拔电路或 USB 电源开关设计中，UMX18NTN 可用于防止浪涌电流冲击，实现软启动功能。它还适用于各类信号切换电路、电机驱动中的低端驱动部分以及通用开关电源拓扑结构中的控制开关。得益于其优异的封装热性能和电气稳定性，该器件也适合部署于高密度多层 PCB 设计中，满足现代智能设备对小型化和高集成度的需求。

BSS138K, PMEM9360UP, NX3006AK