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IRG7PG35U 发布时间 时间:2025/12/26 21:24:29 查看 阅读:15

IRG7PG35U是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,广泛应用于高效率功率转换系统中。该器件结合了先进的沟槽栅场截止技术(Trench Field-Stop IGBT),具备优异的开关特性和导通性能,适用于要求高可靠性和高效能的工业级应用。IRG7PG35U采用TO-247封装形式,具有良好的热传导性能和机械稳定性,便于安装在散热器上以实现有效的热量管理。这款IGBT专为硬开关和软开关拓扑结构设计,在诸如逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电机驱动等电力电子设备中表现出色。其优化的设计在降低开关损耗的同时,提升了整体系统的能效水平。此外,该器件还具备较强的短路耐受能力,并支持较高的结温工作范围,使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。由于采用了先进的制造工艺和材料,IRG7PG35U在长期运行中展现出卓越的可靠性与耐用性,是中等功率等级下理想的功率开关选择之一。

参数

型号:IRG7PG35U
  制造商:Infineon Technologies
  器件类型:IGBT
  封装类型:TO-247
  集电极-发射极电压Vce:650 V
  集电极电流Ic(@TC=80°C):7 A
  集电极脉冲电流Icm:28 A
  功耗Pd:150 W
  工作结温范围Tj:-40 °C ~ +150 °C
  栅极-发射极电压Vge(最大):±20 V
  导通延迟时间td(on):50 ns
  上升时间tr:85 ns
  关断延迟时间td(off):340 ns
  下降时间tf:90 ns
  输入电容Cies:1000 pF
  输出电容Coes:240 pF
  反向恢复时间trr(二极管):45 ns

特性

IRG7PG35U采用英飞凌先进的Trench Field-Stop IGBT技术,这一技术显著降低了导通压降和开关损耗之间的折衷矛盾,从而提高了整体能效。该器件的场截止层设计使得电场分布更加均匀,有效减少了尾电流并加快了关断过程中的载流子复合速度,进而缩短了关断时间和反向恢复时间,特别适合高频开关操作场景。
  其沟槽栅结构不仅提升了载流子注入效率,还增强了器件的电流密度,使单位面积下的输出电流能力更强,有助于缩小系统体积。同时,这种结构对温度变化不敏感,确保了在宽温度范围内仍能保持稳定的电气性能。
  内置的快速体二极管具有较低的反向恢复电荷Qrr和软恢复特性,能够减少电磁干扰(EMI)并防止因反向恢复引起的电压尖峰损坏其他元件,这对桥式电路尤为重要。此外,该二极管的反向恢复行为可控且可预测,有利于简化驱动电路设计。
  IRG7PG35U具备良好的短路耐受能力,通常可在额定条件下承受数微秒的短路事件而不发生永久性损坏,这为系统提供了额外的安全裕度。配合适当的驱动保护电路,可实现过流、过温及欠压锁定等多种保护功能。
  该器件的TO-247封装具有低热阻特性,能够将内部产生的热量迅速传导至外部散热装置,从而维持较低的工作结温,延长使用寿命。引脚布局经过优化,减小了寄生电感,有助于提升高频下的开关稳定性。整体而言,IRG7PG35U在性能、可靠性和热管理方面达到了高度平衡,是现代中功率电力电子系统的优选器件之一。

应用

IRG7PG35U广泛应用于各类需要高效能量转换和精确功率控制的电力电子系统中。在工业电机驱动领域,它常用于三相逆变器中作为主开关元件,实现交流电机的变频调速控制,具备响应速度快、能耗低的优点,适用于风机、泵类及自动化生产线中的驱动装置。
  在可再生能源系统中,特别是光伏太阳能逆变器中,IRG7PG35U凭借其低导通损耗和快速开关能力,能够在DC-AC转换过程中最大限度地减少能量损失,提高发电效率,适应不同光照条件下的动态负载变化。
  该器件也常见于不间断电源(UPS)系统中,用于构建半桥或全桥拓扑结构,支持市电与电池之间的无缝切换,并提供稳定的正弦波输出,保障关键设备如服务器、医疗仪器等的持续供电。
  此外,在感应加热、电焊机和开关模式电源(SMPS)等高功率密度应用中,IRG7PG35U因其出色的热稳定性和抗冲击能力而备受青睐。其高频工作能力和紧凑封装使其适用于空间受限但性能要求高的设计。
  由于其具备较强的抗干扰能力和可靠的长期运行表现,IRG7PG35U也被应用于电动汽车充电基础设施、储能系统以及智能电网相关的功率调节设备中,满足现代能源系统对绿色、高效、智能化的需求。

替代型号

IKW75N65EF5
  FGA60N65SMD
  STGP7NC60KD}
  SGW40N60FLS

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