FNB33060T 时间：2025/7/16 11:43:36 阅读：11

FNB33060T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的超结功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道增强型技术，设计用于高频开关应用和高效率电源转换场景。其主要特点包括低导通电阻、快速开关性能以及出色的热稳定性。
　　这款 MOSFET 非常适合于 SMPS（开关模式电源）、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率管理的场合。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：5.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：27nC（典型值）
　　输入电容：1480pF（典型值）
　　反向恢复时间：90ns（典型值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AC

特性

FNB33060T 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：支持高达 600V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
　　2. 低导通电阻：典型值为 0.28Ω，可降低传导损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关性能：较低的栅极电荷和反向恢复时间使其非常适合高频应用。
　　4. 热稳定性强：能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内可靠工作。
　　5. 封装坚固：采用 TO-220AC 封装，具备良好的散热性能和机械强度。
　　这些特性使得 FNB33060T 成为高频开关电源、电机控制和其他功率管理应用的理想选择。

应用

FNB33060T 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）：
　　包括适配器、充电器和工业电源等，提供高效的功率转换。
　　2. DC-DC 转换器：
　　在各种电压调节模块中使用，以实现稳定的直流输出。
　　3. 电机驱动：
　　适用于无刷直流电机（BLDC）驱动和步进电机控制器。
　　4. PFC（功率因数校正）电路：
　　提高系统的功率因数，满足严格的 EMC 标准。
　　5. 工业自动化设备：
　　包括变频器、伺服驱动器等，用于精确的运动控制。
　　此外，它还适用于太阳能逆变器、LED 驱动器以及其他需要高性能功率管理的电子设备。