型号：IRG6B330UD
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CoolMOS? C6
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：12 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：48 A
　　导通电阻RDS(on)：330 mΩ（max @ VGS=10V, ID=6A）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V 至 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：920 pF @ VDS=50V
　　输出电容（Coss）：280 pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间（trr）：30 ns
　　最大功耗（PD）：100 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252 (D2PAK)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

IRG6B330UD基于英飞凌独有的CoolMOS? C6技术平台，采用了创新的超结（Superjunction）结构，显著降低了传统高压MOSFET中存在的“硅极限”问题，在相同耐压等级下实现了更低的导通损耗和开关损耗。这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，有效提高了漂移区的掺杂浓度，从而大幅减小了RDS(on)，同时维持了高击穿电压。与前代平面或沟槽结构相比，该器件在650V应用中可实现高达30%以上的效率提升，尤其适用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正电路。其动态性能经过优化，具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），减少了驱动损耗，使得控制器可以更高效地控制开关过程，降低电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备出色的热稳定性和长期可靠性，得益于英飞凌严格的制造工艺和质量控制体系。其封装采用高强度模塑化合物和可靠的内部连接技术，能够在高温、高湿及热循环应力环境下保持稳定的电气性能。体二极管的反向恢复特性得到改善，反向恢复电荷（Qrr）较低，减少了在硬开关应用中的尖峰电压和能量损耗，有助于提高系统整体效率并降低对散热设计的要求。此外，IRG6B330UD支持高速开关操作，典型开关频率可达100kHz以上，适用于紧凑型高功率密度电源设计。
　　为了增强系统安全性，该器件具备较强的雪崩能量承受能力（EAS），能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定的自我保护能力。其栅极氧化层经过特殊处理，具有更高的抗静电放电（ESD）能力，减少了在装配和使用过程中因静电导致的失效风险。综合来看，IRG6B330UD不仅在电气性能上表现优异，还在可靠性、热管理和环保方面达到了行业领先水平，是现代高效电源系统中的理想选择之一。

IRG6B330UD广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高能效和高可靠性的场景下表现突出。其主要应用领域包括通信基础设施中的AC-DC电源模块，如基站电源和数据中心服务器电源，这些系统通常要求在宽输入电压范围内保持高效率运行，而该器件的低导通电阻和优化开关特性正好满足此类需求。在光伏发电系统中，它常用于升压型DC-DC变换器或组串式逆变器的前级PFC电路，帮助实现更高的能量转换效率和更低的运行成本。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备中的开关电源单元（SPS）、医疗电子设备电源以及高端消费类电器（如大功率LED照明驱动和变频空调）。在这些应用中，系统往往面临复杂的电磁环境和温度波动，IRG6B330UD凭借其稳定的热性能和抗干扰能力，能够确保长时间无故障运行。由于其封装形式为TO-252，具有良好的散热能力和兼容性，因此也适合用于密集布局的PCB设计中，便于实现小型化和模块化电源解决方案。另外，在电动汽车充电桩的辅助电源或车载充电机（OBC）的次级侧同步整流控制中，该器件也能发挥重要作用。总之，任何需要在650V电压等级下进行高效能量转换的应用，都可以考虑采用IRG6B330UD作为核心功率开关元件。

IPP65R330C6
　　SPW65R330C6
　　STP65H330AG