类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：180A
　　最大漏源电压：700V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.042Ω（最大0.052Ω）
　　功率耗散：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　栅极电荷：典型值92nC
　　输入电容：典型值1700pF

CJPF04N70 MOSFET的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件的Rds(on)在25°C时典型值仅为0.042Ω，即使在高温环境下也能保持较低的电阻值，从而保证稳定的性能。
　　另一个重要特性是其高耐压能力，漏源电压（Vds）额定值高达700V，使其适用于高压电源转换系统。此外，该MOSFET的栅源电压（Vgs）可承受±20V，提高了驱动电路的兼容性和稳定性。
　　在动态性能方面，CJPF04N70具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗，提高开关速度。这对于高频开关应用尤为重要，能够有效提升系统的整体能效。
　　该器件采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适合自动化生产流程。其高功率耗散能力（300W）确保了在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，CJPF04N70具有良好的热阻性能，结壳热阻（Rth(j-c)）低至0.416°C/W，确保了在高功率应用中器件的可靠性和长寿命。

CJPF04N70 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机控制和电池管理系统等。在这些应用中，CJPF04N70的低导通电阻和高耐压特性有助于提升系统效率并降低功耗。
　　在开关电源设计中，CJPF04N70可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，该MOSFET的高频特性有助于减小电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　在电机控制应用中，如电动工具、电动车驱动器等，CJPF04N70的高电流承载能力和快速开关特性可确保电机运行的稳定性和响应速度。此外，该器件还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效的功率切换解决方案。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，CJPF04N70也常用于工业自动化、智能电网设备和新能源发电系统等高端应用中。

CJPF04N70 可以替代的型号包括：STP180N7F15、SiHF4N70DD、FQA4N70、IRF2807、IXFH180N70Q3H。