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IRFZ48ZSPBF 发布时间 时间:2025/7/10 12:19:43 查看 阅读:15

IRFZ48ZSPBF 是一款高性能的 N 沫场效应晶体管(MOSFET),采用功率封装设计,广泛应用于高电流、高效率的开关应用中。这款器件由 Vishay 公司生产,主要面向工业和汽车领域。它具有低导通电阻和高雪崩能力的特点,适用于多种电力电子转换和控制场景。
  该 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及开关电源等。其优异的性能参数使其成为众多设计工程师的首选方案。

参数

类型:N 沫增强型 MOSFET
  最大漏源电压 VDS:55V
  最大栅源电压 VGS:±20V
  最大漏极电流 ID:41A
  导通电阻 RDS(on):3.6mΩ
  总功耗 PD:205W
  工作结温范围 Tj:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263-3

特性

IRFZ48ZSPBF 的关键特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),仅为 3.6mΩ,从而显著降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
  3. 支持高频开关操作,非常适合需要快速开关的应用场景。
  4. 工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +175°C,确保在极端环境中的稳定运行。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用。
  6. 封装设计优化了散热性能,便于集成到紧凑型设计中。
  这些特性使 IRFZ48ZSPBF 成为高效能功率管理的理想选择。

应用

IRFZ48ZSPBF 主要用于以下应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,支持高效的电流切换。
  3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统,如启动马达和电池管理系统。
  6. 大功率 LED 驱动器。
  凭借其强大的性能指标和稳定性,这款 MOSFET 可以满足各种复杂电力电子需求。

替代型号

IRFZ44N, IRFZ48V

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IRFZ48ZSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 37A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1720pF @ 25V
  • 功率 - 最大91W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ48ZSPBF