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IRFZ44VZSPBF 发布时间 时间:2025/7/4 4:18:22 查看 阅读:30

IRFZ44VZSPBF是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。这款晶体管适用于高效率开关应用,如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动和负载开关等。它具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够显著降低传导损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:17.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗:188W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRFZ44VZSPBF具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少功率损耗。
  2. 高击穿电压(55V),确保在较高电压下的可靠运行。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,适合高频开关电源设计。
  4. 小尺寸表面贴装封装(TO-263),有助于简化PCB布局和提高散热性能。
  5. 优异的热稳定性,能在高温环境下保持高效工作。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

该器件广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载切换
  5. 电池保护和管理系统
  6. 各类工业控制设备
  其强大的电气性能和可靠性使其成为众多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, STP40NF06L, FDP5500

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IRFZ44VZSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1690pF @ 25V
  • 功率 - 最大92W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ44VZSPBF