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IRFZ44NPBF 发布时间 时间:2024/7/1 15:44:22 查看 阅读:261

IRFZ44NPBF是一种N沟道MOSFET晶体管,由国际整流器公司(International Rectifier)制造。该晶体管具有低导通电阻和高开关速度,适用于高功率开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动器、UPS和电源管理等。
  IRFZ44NPBF的最大漏极电流为49安培,最大漏极电压为55伏特,最大功率损耗为94瓦特。它采用了TO-220AB封装,可承受高温和高电流应用环境。除了IRFZ44NPBF,国际整流器公司还生产了许多其他型号的MOSFET晶体管,以满足不同应用的需求。
  IRFZ44NPBF的特点包括:
  1、低导通电阻:因为IRFZ44NPBF是一种N沟道MOSFET,所以它具有低导通电阻。这使得它能够在高电流应用中提供更高的效率和更少的功率损耗。
  2、高开关速度:IRFZ44NPBF具有快速的开关速度,这使得它能够在高频率应用中提供更好的性能。
  3、TO-220AB封装:IRFZ44NPBF采用TO-220AB封装,这种封装具有良好的散热能力和高温容忍度,可以在恶劣的环境条件下使用。

组成结构

IRFZ44NPBF的主要参数和指标包括:
  最大漏极电流:49A
  最大漏极电压:55V
  最大功率损耗:94W
  导通电阻:17mΩ
  开关时间:24ns
  封装类型:TO-220AB

工作原理

当栅极电压为正值时,会在n型硅层和栅极之间形成一个PN结,这时电流无法流过。当栅极电压为负值时,栅极和n型硅层之间的电场会使得n型硅层上的电子向栅极靠近,形成一个导通通道,电流就可以流过。同时,正极连接源极,负极连接漏极,电流就可以从源极进入导通通道,流到漏极。当栅极电压为0时,MOSFET处于截止状态,电流无法流过。

技术要点

IRFZ44NPBF的技术要点包括:
  采用N型沟道结构,具有低导通电阻
  采用TO-220AB封装,具有良好的散热性能和高温容忍度
  具有快速的开关速度,适用于高频率应用
  适用于高功率开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动器、UPS和电源管理等

设计流程

设计IRFZ44NPBF电路的流程包括:
  确定应用场景和要求
  选择适合的电路拓扑和控制策略
  计算电路参数,如电压、电流、功率等
  选择合适的元器件,如电容、电感、二极管等
  进行电路仿真和测试,进行调试和优化

操作规程

操作IRFZ44NPBF晶体管的规程包括:
  避免超过最大漏极电流、最大漏极电压和最大功率损耗
  使用适当的散热器,确保晶体管不会过热
  避免静电和机械损坏,避免弯曲或划伤引脚
  注意正负极的连接,避免短路或反接
  根据应用场景选择合适的控制策略和电路拓扑

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IRFZ44NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1470pF @ 25V
  • 功率 - 最大94W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ44NPBF