类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

ITXH20N60具有多种优秀的电气和物理特性。首先，其高击穿电压（600V）使得该器件非常适合用于高压电源转换系统中，例如工业电源和电机控制设备。其次，器件的导通电阻较低，能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高整体系统效率。
　　此外，ITXH20N60采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了更好的热管理和更高的可靠性。这种设计不仅提高了器件的耐用性，还延长了其在严苛环境下的使用寿命。TO-247封装形式也便于安装和散热，使得该器件在高功率应用中表现尤为出色。
　　另一个显著的特点是其栅极驱动的灵活性，±30V的栅源电压范围允许设计者在不同的应用中使用不同的驱动电路，提高了设计的灵活性。同时，该器件具有良好的短路耐受能力，能够在突发的短路情况下提供额外的保护。

ITXH20N60广泛应用于各种高功率和高压的电子系统中，例如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器和工业自动化设备。在开关电源中，该MOSFET可以作为主开关使用，提供高效能和稳定的电压转换。在电机控制和驱动应用中，ITXH20N60的高电流能力和可靠性使其成为理想的选择。
　　此外，该器件也常用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源领域设备中，帮助实现更高的能量转换效率和更长的系统寿命。由于其良好的热管理性能，ITXH20N60也适用于需要长时间高负载运行的工业控制系统中。

IPW65R045CFD, STW20NK60Z