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IRFZ24NSPBF 发布时间 时间:2025/7/12 0:04:47 查看 阅读:11

IRFZ24NSPBF是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由Vishay公司生产。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高性能应用的理想选择。
  IRFZ24NSPBF具有较低的栅极电荷和快速的开关速度,能够显著降低传导损耗和开关损耗,提高整体效率。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:1.75mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:45nC
  总电容:385pF
  功耗:163W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRFZ24NSPBF的主要特性包括:
  1. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  2. 极低的导通电阻,减少传导损耗。
  3. 快速开关性能,适合高频操作。
  4. 热稳定性强,可在宽温度范围内可靠工作。
  5. TO-220封装,便于散热设计和安装。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。

应用

IRFZ24NSPBF适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 电机驱动电路中的功率控制。
  3. DC-DC转换器及升压/降压电路。
  4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护和充放电控制。

替代型号

IRFZ24N, IRFZ44N, FDP55N06L

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IRFZ24NSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds370pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ24NSPBF