时间：2025/5/20 17:11:21
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IRFZ24N是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效率和低导通损耗的电路中。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种工业和消费类电子设备。
最大漏源电压：55V
最大连续漏极电流：40A
导通电阻：0.017Ω
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃~150℃
IRFZ24N是一款增强型场效应晶体管，采用TO-220封装形式。其主要特点包括低导通电阻以减少功率损耗，同时具备快速开关速度以提高工作效率。
该器件能够在高频条件下稳定运行，并且拥有良好的热稳定性，确保在高温环境下也能保持可靠的性能表现。
此外，IRFZ24N支持较大的漏极电流，适合于大功率应用场合。通过优化设计，可以进一步降低系统成本并提升整体性能。
IRFZ24N通常被用作开关元件，在以下领域有广泛应用：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 直流无刷电机驱动
3. DC-DC转换器
4. 电池保护电路
5. 各种负载切换应用
由于其出色的电气特性和机械结构，IRFZ24N成为许多电力电子项目中的理想选择。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP047N06L
