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IRFZ20 发布时间 时间:2025/7/12 1:19:59 查看 阅读:9

IRFZ20是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换和控制的场合。
  IRFZ20以其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压为特点,能够有效降低传导损耗并提高系统效率。同时,其快速开关性能也使其适合高频应用环境。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:0.018Ω
  栅极阈值电压:2V~4V
  总功耗:175W
  工作温度范围:-55℃~+175℃

特性

IRFZ20具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 极低的导通电阻,可显著减少功率损耗。
  3. 快速开关速度,适用于高频应用。
  4. 热稳定性好,能够在较宽的工作温度范围内可靠工作。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业需求。
  6. TO-220封装设计,便于散热和安装。

应用

IRFZ20被广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. LED照明驱动电路中的功率开关。
  6. 各种消费类电子设备中的功率管理单元。

替代型号

IRFZ24N, IRFZ44N, STP36NF06

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IRFZ20参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 25V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ20