IRFZ20是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换和控制的场合。
IRFZ20以其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压为特点,能够有效降低传导损耗并提高系统效率。同时,其快速开关性能也使其适合高频应用环境。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:31A
导通电阻:0.018Ω
栅极阈值电压:2V~4V
总功耗:175W
工作温度范围:-55℃~+175℃
IRFZ20具有以下主要特性:
1. 高击穿电压,确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻,可显著减少功率损耗。
3. 快速开关速度,适用于高频应用。
4. 热稳定性好,能够在较宽的工作温度范围内可靠工作。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业需求。
6. TO-220封装设计,便于散热和安装。
IRFZ20被广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. 负载切换和保护电路。
5. LED照明驱动电路中的功率开关。
6. 各种消费类电子设备中的功率管理单元。
IRFZ24N, IRFZ44N, STP36NF06