类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：16A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：64A
　　导通电阻(RDS(on))：5.3mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷(Qg)：22nC
　　输入电容(Ciss)：970pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　安装类型：表面贴装

IRFY9140CMPBF 具备多项优异的电气和物理特性，适合各种高性能电源管理应用。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）仅为 5.3mΩ，在 VGS=10V 的条件下，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这种低 RDS(on) 特性使得 IRFY9140CMPBF 在高电流应用中仍能保持较低的温升，提升系统的可靠性和稳定性。
　　其次，IRFY9140CMPBF 的最大连续漏极电流可达 16A，且在脉冲条件下可承受高达 64A 的漏极电流，表明其具备出色的瞬态响应能力，适用于负载突变或启动电流较大的场合。
　　此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有较低的栅极电荷（Qg）为 22nC，这有助于降低开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。输入电容为 970pF，有助于减少高频开关时的寄生振荡和噪声。
　　IRFY9140CMPBF 的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，适合在极端温度环境下工作。其封装形式为 PowerPAK SO-8，属于表面贴装封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于高密度 PCB 设计。
　　最后，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅且不含有害物质，符合现代电子产品对环保的要求。

IRFY9140CMPBF 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见用途包括：DC-DC 转换器中的主开关器件，用于高效转换电压；负载开关电路中，用于控制高电流负载的通断；电池管理系统中，用于充放电控制和保护；电机驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停和方向；服务器和通信设备的电源系统中，提供高效能和高可靠性的解决方案；此外，也适用于 LED 照明驱动、工业自动化设备和消费类电子产品中的电源模块。

Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, AO4406A