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BAS40-04Q-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 11:03:10 查看 阅读:35

BAS40-04Q-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,专为高密度、高性能的电源管理和信号处理应用设计。该器件采用微型SOT-753(SOD-523)封装,具有四个独立的肖特基二极管,连接成共阴极配置(即每个二极管的阴极相连),这种结构特别适用于需要多路并行整流或箝位保护的应用场景。由于其低正向电压降和快速开关特性,BAS40-04Q-7-F在便携式电子设备中表现出色,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,表明其能够在严苛的温度和机械环境下稳定工作,因此也广泛应用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块等汽车电子领域。此外,BAS40-04Q-7-F通过了RoHS环保认证,不含铅和有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造要求。其小尺寸封装不仅节省PCB空间,还有助于提高电路板的整体集成度。

参数

类型:肖特基二极管阵列
  配置:共阴极(4个独立二极管)
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):300mA
  峰值脉冲正向电流(IFSM):500mA
  最大正向电压(VF):500mV @ 10mA, 800mV @ 200mA
  最大反向漏电流(IR):5μA @ 25°C, 250μA @ 100°C
  反向恢复时间(trr):<4ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装:SOT-753(SOD-523)
  安装类型:表面贴装
  符合标准:AEC-Q101, RoHS

特性

BAS40-04Q-7-F的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这使得它相较于传统的PN结二极管具备更低的正向导通压降和更快的开关速度。其最大正向电压在10mA电流下仅为500mV,在200mA时为800mV,显著低于普通硅二极管的约700mV至1V水平,这意味着在相同工作条件下功耗更低,有助于提升系统的能效并减少热积累,尤其适合对功耗敏感的移动设备。
  该器件的反向恢复时间小于4纳秒,几乎不存在反向恢复电荷问题,因此在高频开关应用中能够有效降低开关损耗和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。四个共阴极配置的二极管允许用户灵活实现多通道信号箝位、电压电平转换或并联使用以增加电流承载能力。由于每个二极管是独立封装在同一芯片内,它们具有良好的匹配性和一致性,确保各通道之间的性能差异最小化。
  BAS40-04Q-7-F的SOT-753封装尺寸极小(典型为1.2mm x 0.8mm x 0.5mm),非常适合高密度印刷电路板布局,并支持自动化高速贴片生产。其额定工作结温高达+150°C,表明其在高温环境下的长期可靠性强,适用于发动机舱附近或其他发热元件周围的汽车电子应用。同时,-55°C的低温极限使其可在极寒环境中正常运行。器件通过AEC-Q101认证,意味着经过严格的应力测试,如高温反偏、温度循环、高压釜试验等,确保在振动、湿度和极端温度变化下的长期稳定性。这些特性共同使BAS40-04Q-7-F成为工业控制、通信接口保护和汽车电子中理想的保护与整流解决方案。

应用

BAS40-04Q-7-F因其优异的电气特性和紧凑封装,被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中,常用于USB接口的ESD保护、LCD偏压电路中的电压箝位、音频线路的瞬态抑制以及电池充电路径中的防倒灌二极管。其低VF特性有助于延长电池续航时间。
  在通信接口方面,该器件可用于RS-232、I2C、SPI等信号线的静电放电(ESD)防护和过压保护,防止外部浪涌或插拔瞬间产生的尖峰电压损坏后端IC。在便携式医疗设备中,如血糖仪、心率监测器等,BAS40-04Q-7-F提供可靠的电源管理功能,同时满足严格的尺寸和功耗限制。
  在汽车电子领域,该器件适用于LED照明驱动电路中的续流二极管、传感器信号调理电路的箝位保护、车载信息娱乐系统的电源轨隔离等场景。其AEC-Q101认证确保了在车辆生命周期内长期稳定运行。
  此外,在工业控制系统中,可用于PLC输入输出模块的信号隔离、编码器接口保护以及开关电源中的辅助绕组整流。由于其快速响应能力,也可作为高频DC-DC转换器中的同步整流替代方案之一,尤其是在低输出电压、小功率拓扑中表现良好。总之,任何需要高效、小型化且可靠二极管阵列的应用都可以考虑使用BAS40-04Q-7-F。

替代型号

BAS40-04W-7-F
  DMC1004S-7-F
  ZHCS401F
  RB751S-40

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BAS40-04Q-7-F参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.33713卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对串联
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)200mA(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 40 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)5 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 nA @ 30 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3