IRFY140C 时间：2025/12/26 20:54:34 阅读：7

IRFY140C是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及高电流负载驱动等场景。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和优异的开关性能，能够有效降低系统中的传导损耗并提升整体效率。IRFY140C设计用于在高电压环境下稳定工作，其最大漏源击穿电压为200V，适用于中高压功率应用。该MOSFET封装在TO-220AB或类似的大功率塑料封装中，具备良好的热传导能力，可通过外接散热器进一步增强散热效果，确保长时间运行的可靠性。由于其高耐用性和鲁棒性，IRFY140C常被用于工业控制设备、电源适配器、逆变器及电动车相关电子系统中。此外，该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，在瞬态过压条件下表现出较强的耐受性，有助于提高系统的安全裕度。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vdss)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：9.5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：38A
　　导通电阻(Rds on)：120mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds on)：170mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压(Vgs th)：4V
　　输入电容(Ciss)：600pF @ Vds=25V
　　输出电荷(Qg)：45nC @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：90W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

IRFY140C采用英飞凌成熟的沟槽栅技术，实现了低导通电阻与优良的开关特性的平衡。其120mΩ的典型Rds(on)值在200V级N沟道MOSFET中处于较优水平，这意味着在通过大电流时产生的热量更少，从而降低了对散热系统的要求，并提升了整个电源系统的转换效率。该器件在VGS为10V时可完全导通，同时在4.5V下也能实现较低的导通电阻，使其兼容多种驱动电路，包括基于逻辑电平的控制器输出。这增强了其在现代数字控制系统中的适用性，特别是在使用微控制器或DSP直接驱动MOSFET的应用中。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，输入电容和反向传输电容较小，使得其在高频开关应用中具有快速的响应能力和较低的驱动损耗。Qg仅为45nC，表明驱动电路所需提供的电荷量较少，有利于降低驱动IC的功耗并简化驱动设计。此外，器件内部结构优化减少了寄生参数的影响，抑制了米勒效应引起的误触发风险，提高了在硬开关拓扑如Buck、Boost和Half-Bridge中的稳定性。
　　IRFY140C还具有较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关测试（UIS）条件下承受一定的重复性雪崩能量。这种坚固的设计使其在遭遇负载突变或短路等异常工况时仍能保持不损坏，显著提升了系统的鲁棒性。同时，器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适合现代绿色电子产品的需求。其TO-220AB封装不仅机械强度高，而且便于安装散热片，适用于需要自然对流或强制风冷的功率场合。综合来看，IRFY140C是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压功率MOSFET解决方案。

应用

IRFY140C广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适用于需要高效开关操作的直流电源变换装置。常见用途包括离线式开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器，尤其是在Boost PFC电路中作为主开关管使用。其200V耐压等级使其非常适合在通用输入电压范围（85–265V AC）下的前端功率因数校正环节中稳定运行。此外，该器件也常用于逆变器系统，例如太阳能微型逆变器或UPS不间断电源中的桥臂开关元件，承担能量转换和波形调制任务。
　　在电机驱动领域，IRFY140C可用于中小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低功耗切换。由于其具备较高的脉冲电流处理能力（可达38A），因此也能胜任瞬时大电流负载的驱动需求，如电磁阀、继电器驱动模块或电子点火系统等工业控制应用。另外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或者作为热插拔电路中的主控开关，凭借其低Rds(on)减少压降和温升。
　　由于其封装形式为TO-220AB，具有良好的热传导性能，因此在无需复杂贴片工艺的情况下即可实现较高功率密度的设计，特别适合中小批量生产或维修替换场景。此外，该器件也被广泛用于各类LED驱动电源、电动工具电源模块以及通信电源模块中，是工程师在中压功率开关选型中的常用型号之一。