IRFY130C是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用和功率管理领域。该器件采用先进的沟槽式技术,提供了较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于各种电源转换系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):2.7A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(最大值,Vgs=10V)
栅极阈值电压(Vgs(th)):1V至2.5V
最大功耗(Pd):1.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220AB
IRFY130C具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:IRFY130C的Rds(on)最大值仅为0.15Ω,这使得在导通状态下产生的功率损耗较小,从而提高了系统的整体效率。
2. 高频开关性能:由于采用了先进的沟槽式技术,该MOSFET具备快速开关能力,适用于高频开关电路,减少了开关损耗并提高了响应速度。
3. 高可靠性:IRFY130C的工作温度范围为-55°C至150°C,适应性强,能够在严苛的环境条件下稳定工作。
4. 热稳定性好:该器件的封装设计优化了散热性能,能够有效降低结温,提高长期运行的稳定性。
5. 宽泛的栅极电压范围:栅极阈值电压在1V至2.5V之间,允许使用多种驱动电路进行控制,增强了设计的灵活性。
6. 安全工作区宽:IRFY130C具备较高的短路耐受能力,适合用于需要频繁开关或可能出现瞬态过载的应用场景。
IRFY130C广泛应用于以下领域:
1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,利用其低导通电阻和高频开关特性提高转换效率。
2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机控制和电动工具中,作为功率开关元件使用,实现对电机速度和方向的精确控制。
3. 负载开关:用于智能电源管理电路中,作为负载开关以控制外部设备的供电。
4. 照明系统:如LED驱动电路和电子镇流器,利用其高效能特性减少发热并提高灯具寿命。
5. 电池管理系统:在电池充放电保护电路中,作为主开关器件使用,确保系统的安全性和可靠性。
6. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、工业电源和自动化设备中,作为核心功率开关元件,实现高效率和高稳定性的系统设计。
IRFZ44N, IRF540N, FQP30N06L