IRFW730 时间：2025/12/29 14:13:28 阅读：10

IRFW730是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和功率控制应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。IRFW730广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大连续漏极电流（ID）：8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大1.0Ω（典型值0.85Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）

特性

IRFW730具有多项优异的电气和热性能特点。其高耐压能力（600V VDS）使其适用于多种高电压应用，如AC/DC电源适配器和离线电源系统。该器件的低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，IRFW730具备较强的电流承受能力，连续漏极电流可达8A，脉冲电流可高达32A，适用于中高功率的开关应用。
　　IRFW730采用先进的沟槽技术，提升了热稳定性和可靠性。其栅极驱动特性较为温和，栅极阈值电压在2V至4V之间，兼容常见的逻辑电平驱动器，便于集成到各种控制电路中。器件的封装形式包括TO-220和D2PAK，后者适用于表面贴装工艺，有助于提高PCB布局的灵活性和散热性能。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，从而提升系统的可靠性和寿命。同时，其低输入电容（Ciss）和快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用。这些特点使得IRFW730成为高效率电源设计中的理想选择。

应用

IRFW730主要应用于各种中高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC/DC和DC/DC转换器、电池充电器、电机驱动器、工业自动化设备以及LED照明电源等。在这些应用中，IRFW730能够实现高效的能量转换和稳定的功率控制，满足对高效率、小型化和高可靠性的需求。此外，其高耐压和良好的热性能使其适用于工作在较高电压和较大电流环境下的电力电子系统。