HGTP3N60C3 时间：2025/12/29 14:45:01 阅读：10

HGTP3N60C3是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高压、高速功率MOSFET器件，采用TO-220封装形式。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及马达控制应用。HGTP3N60C3属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频工作环境。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：40W
　　输入电容（Ciss）：600pF（典型值）
　　开关时间（ton/off）：快速开关特性

特性

HGTP3N60C3具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理应用。
　　首先，其最大漏源电压（Vds）可达600V，适用于高电压输入环境，如交流电源整流后的高压直流母线应用。
　　其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）最大为2.2Ω，在同类器件中表现良好，能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，HGTP3N60C3具备较高的栅极电压耐受能力（±30V），增强了在复杂电磁环境下的稳定性和可靠性，避免因过电压而导致的栅极击穿。
　　其快速开关特性使得该MOSFET适用于高频开关电路，有助于减小磁性元件体积，提高功率密度。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于多种工业和消费类应用环境。
　　同时，HGTP3N60C3具有较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好性能，适合用于高可靠性要求的电源系统中。

应用

HGTP3N60C3广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。
　　在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主开关元件，实现高效的能量转换，适用于AC-DC和DC-DC拓扑结构。
　　在DC-DC转换器中，HGTP3N60C3可作为高频开关元件，实现电压升降压变换，适用于通信电源、服务器电源和电池充电器等设备。
　　在逆变器系统中，该器件可用于构建H桥或半桥拓扑，实现直流电能向交流电能的高效转换，适用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用。
　　此外，HGTP3N60C3还可用于马达驱动电路，如风扇控制、步进电机驱动和工业自动化系统中的功率开关控制。
　　由于其高可靠性和良好的热稳定性，该器件也常用于家电控制、照明系统和智能电表等消费及工业电子产品中。