时间：2025/12/29 14:01:12
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IRFW720TM 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理等多种应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
漏极电流（ID）：50A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值 0.11Ω
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
引脚数：3
IRFW720TM 的关键特性之一是其卓越的导通性能，低导通电阻（RDS(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够处理高达50A的漏极电流，非常适合高功率应用。
该MOSFET采用先进的沟槽结构技术，有助于提升器件的热稳定性和可靠性。其高栅源电压（±20V）允许在多种驱动条件下稳定运行，增强了器件的适用范围。
IRFW720TM 还具备出色的热管理能力，支持高达175°C的工作温度，确保在高温环境下仍能保持稳定性能。此外，其TO-220AB封装形式易于安装和散热，适用于各种电路板布局设计。
由于其坚固的设计和优良的电气特性，IRFW720TM 常被用于工业自动化、电机控制、电源供应器以及汽车电子等对可靠性要求较高的应用场合。
IRFW720TM 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及电源管理系统。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及汽车电子控制系统等对功率处理要求较高的场景。
IRF720、IRF720GPBF、IRFZ44N、IRFP250N
