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IRFU9120NPBF 发布时间 时间:2025/6/24 15:51:05 查看 阅读:6

IRFU9120NPBF是一款由Infineon(原IR公司)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其高雪崩能力使其在严苛的工作条件下表现优异。这款MOSFET通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。

参数

最大漏源电压:45V
  连续漏极电流:28A
  栅源开启电压:2.1V~4.5V
  导通电阻:7mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:135W
  工作结温范围:-55℃~175℃

特性

IRFU9120NPBF具有低导通电阻,可显著降低传导损耗,提高系统效率。其小型化的TO-263封装有助于节省电路板空间。此外,它还具备较高的雪崩能量承受能力,增强了系统的可靠性。该器件的快速开关速度可以减少开关损耗,从而适应高频应用的需求。
  由于采用了先进的制造工艺,IRFU9120NPBF在高温环境下仍能保持稳定的性能。此外,其较低的输入电容使得驱动更加简单,并减少了对驱动电路的要求。

应用

IRFU9120NPBF广泛应用于各种功率转换和控制领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 电池保护电路
  5. 负载切换和电源管理
  6. 工业自动化设备中的功率级
  该器件适合用作同步整流器或负载开关,也可用于需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

IRF9120NTRPBF

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IRFU9120NPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 3.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU9120NPBF