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IRFU9024NPBF 发布时间 时间:2025/7/9 23:35:59 查看 阅读:10

IRFU9024NPBF是一款由Infineon(原International Rectifier,IR)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装形式,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性,广泛应用于各种功率转换电路、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等领域。
  该MOSFET的额定电压为60V,适用于中低压应用环境,能够提供高效的功率转换和控制能力。其优化的Rds(on)特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:17nC(典型值)
  输入电容:1140pF(典型值)
  功耗:33W(在Tc=25°C时)
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-263

特性

IRFU9024NPBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高效率。
  2. 高开关速度,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,适合高频应用。
  3. 优秀的热稳定性,允许在较宽的工作温度范围内可靠运行。
  4. 高电流承载能力,支持高达28A的连续漏极电流。
  5. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,能够在异常条件下保护器件。
  6. 小型化封装设计,便于PCB布局和散热管理。

应用

IRFU9024NPBF适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和逆变器电路中的功率级元件。
  3. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
  4. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统中的电池管理系统和电机控制器。
  6. LED照明驱动器和其他高效能功率转换装置。

替代型号

IRFU9024PBF, IRF9024

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IRFU9024NPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C175 毫欧 @ 6.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大38W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU9024NPBF