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IRFU5305PBF 发布时间 时间:2025/5/23 9:51:36 查看 阅读:3

IRFU5305PBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-252 (DPAK)封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够实现高效的功率转换。
  IRFU5305PBF的设计目标是为各种功率管理应用提供高性能和高可靠性的解决方案,其优异的热特性和电气特性使其成为众多设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  栅极阈值电压:2.8V~4.5V
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  总功耗:19W
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

IRFU5305PBF的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  4. 快速开关性能,降低开关损耗。
  5. 小巧的TO-252封装,便于PCB布局设计。
  6. 宽广的工作温度范围,适应多种环境条件。
  这些特性使得IRFU5305PBF在要求高效能和高可靠性的场景中表现出色。

应用

IRFU5305PBF适用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的功率级控制。
  2. DC-DC转换器的同步整流功能。
  3. 电池管理系统中的负载切换。
  4. 电动工具及家用电器的电机驱动。
  5. 工业自动化设备中的功率开关。
  由于其优秀的电气特性和可靠性,该器件在上述领域中均有广泛应用。

替代型号

IRF5305TRPBF, IRL5305PBF

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IRFU5305PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU5305PBF