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IRFU3709PBF 发布时间 时间:2025/6/19 19:05:17 查看 阅读:4

IRFU3709PBF 是一款由 Infineon(原 International Rectifier)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够以较低的栅极驱动电压实现导通,适用于多种开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。其封装形式为 TO-252 (DPAK),具有良好的散热性能和紧凑的尺寸。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:14A
  栅极阈值电压:2.5V 至 4.0V
  导通电阻:8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  开关速度:快速开关特性
  工作结温范围:-55°C 至 150°C

特性

IRFU3709PBF 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  此外,其逻辑电平驱动设计使得它能够与常见的 CMOS 或 TTL 输出电路直接连接,无需额外的驱动级放大器。
  该器件还具备快速开关能力,从而减少开关损耗,并且能够在较高的开关频率下运行。
  其封装形式 DPAK 提供了良好的热性能,确保在高功率应用场景下的可靠性。
  整体上,IRFU3709PBF 在高效能转换和低功耗需求的应用中表现出色。

应用

该 MOSFET 常用于直流-直流转换器、开关模式电源(SMPS)、电机控制、负载切换、电池保护以及各类工业自动化设备中的功率管理模块。
  由于其支持高电流和低压降的特点,也广泛应用于汽车电子和消费类电子产品领域。

替代型号

IRLZ44N
  AO3400A
  FDP5802
  STP14NF06L

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IRFU3709PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单路
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 15A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 4.5V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)2672pF @ 16V
  • 功率 - 最大120W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU3709PBF