IRFU3709PBF 是一款由 Infineon(原 International Rectifier)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够以较低的栅极驱动电压实现导通,适用于多种开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。其封装形式为 TO-252 (DPAK),具有良好的散热性能和紧凑的尺寸。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:14A
栅极阈值电压:2.5V 至 4.0V
导通电阻:8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
开关速度:快速开关特性
工作结温范围:-55°C 至 150°C
IRFU3709PBF 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
此外,其逻辑电平驱动设计使得它能够与常见的 CMOS 或 TTL 输出电路直接连接,无需额外的驱动级放大器。
该器件还具备快速开关能力,从而减少开关损耗,并且能够在较高的开关频率下运行。
其封装形式 DPAK 提供了良好的热性能,确保在高功率应用场景下的可靠性。
整体上,IRFU3709PBF 在高效能转换和低功耗需求的应用中表现出色。
该 MOSFET 常用于直流-直流转换器、开关模式电源(SMPS)、电机控制、负载切换、电池保护以及各类工业自动化设备中的功率管理模块。
由于其支持高电流和低压降的特点,也广泛应用于汽车电子和消费类电子产品领域。
IRLZ44N
AO3400A
FDP5802
STP14NF06L