类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：4.1A
　　最大漏-源极电压（Vds）：60V
　　最大栅-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为37mΩ @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　极数：3（单个MOSFET）

IRFU214BA3HD具备多项先进的性能特点，首先其采用了英飞凌的沟槽型MOSFET技术，这使得器件在导通状态下的电阻非常低，从而降低了导通损耗，提高了能效。其次，该MOSFET的快速开关能力有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。
　　此外，该器件的封装形式为TO-252（也称为DPAK），这是一种表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化生产流程。TO-252封装还具备较好的散热性能，有助于在较高电流下维持稳定的工作温度。
　　IRFU214BA3HD的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，这使得其能够与多种类型的MOSFET驱动器兼容。此外，该器件的Vds最大耐压为60V，适合用于中等电压的电源转换系统，例如48V电源系统中的DC-DC转换器或负载开关应用。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。

IRFU214BA3HD广泛应用于多种电源管理系统中，包括但不限于以下领域：
　　? DC-DC转换器：用于提高或降低直流电压，常见于电源适配器、电池管理系统和嵌入式系统中。
　　? 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如电机驱动、加热元件或LED照明系统。
　　? 电池充电器：在充电管理电路中作为功率开关，实现高效的能量传输和精确的充电控制。
　　? 电源管理模块：用于服务器、通信设备和工业控制系统中的电源优化与分配。
　　? 电源适配器和AC-DC电源：用于次级侧的同步整流电路或PFC（功率因数校正）电路中，以提高电源效率。
　　? 电机控制：在H桥驱动电路中作为功率开关元件，实现电机的正反转及速度控制。

Si4410BDY, IRF7413, FDS6680, NTD4859N