时间：2025/12/29 14:11:27
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IRFU214A是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高效率的功率转换应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高功率密度场合。IRFU214A封装形式为D2PAK（TO-263），属于表面贴装型封装，便于散热和自动化生产。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
功耗(Pd)：100W
导通电阻(Rds(on))：0.055Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
IRFU214A具备多项优异特性，首先其采用Trench沟槽技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其次，其Rds(on)最大值为0.055Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于实现更高的能量转换效率。
此外，IRFU214A支持高达15A的连续漏极电流，并可在高达175°C的结温下稳定工作，表现出良好的热稳定性和可靠性。其D2PAK封装设计不仅支持表面贴装工艺，提高生产效率，而且具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
该器件还具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，使用灵活方便。
综上所述，IRFU214A是一款性能稳定、效率高、适用于多种功率应用的MOSFET器件。
IRFU214A广泛应用于多种功率电子系统中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备等。其高电流能力和低导通电阻特性，使其特别适合用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统。
IRFZ44N, IRF3205, IRF1404, STP15NF40, FDPF214A
