R5405L193KF-TR 是一款由 Rohm 公司生产的功率 MOSFET 芯片,采用 LFPA器件主要应用于高效率开关电源、电机驱动和负载开关等领域。其出色的导通电阻性能和快速的开关速度使其在各种电力电子应用中表现出色。
R5405L193KF-TR 属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和良好的热性能,适合需要高效能与高可靠性的电路设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:7.6A
导通电阻(典型值):1.9mΩ
栅极电荷:12nC
开关速度:快速
封装类型:LFPAK8
工作温度范围:-55℃ to +175℃
R5405L193KF-TR 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on)),这使其在高电流应用中能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
该器件具备优异的热性能,能够在高温环境下稳定运行,并且拥有快速的开关速度,从而减少开关损耗。
同时,它采用了紧凑的 LFPAK8 封装,这种封装方式不仅节省空间,还提供了卓越的散热能力。
R5405L193KF-TR 还支持较高的持续电流,这使得它非常适合用于需要大功率处理的应用场景。
此外,其坚固的设计确保了在严苛环境下的可靠性。
R5405L193KF-TR 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流
2. 电机驱动控制
3. 各种 DC/DC 转换器
4. 电池保护和管理
5. 负载开关
6. 便携式设备中的高效功率转换
由于其低 Rds(on) 和高效率特点,这款 MOSFET 非常适合要求低功耗及高性能的场合。
R5405L193KF-TR