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IRFU13N20DPBF 发布时间 时间：2023/3/7 14:15:37 查看 阅读：611

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：HEXFET?

  

目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 特点：标准型

    开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：235 毫欧 @ 8A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss)：200V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A

    Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：830pF @ 25V

    功率 - 最大：110W

    安装类型：通孔

    封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)

    包装：管件

    供应商设备封装：I-Pak

    其它名称：*IRFU13N20DPBF


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRFU13N20DPBF产品

IRFU13N20DPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C235 毫欧 @ 8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds830pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU13N20DPBF

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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