IRFSZ24 时间：2025/12/29 15:10:59 阅读：10

IRFSZ24是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和电机控制等领域。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和快速开关特性而著称，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.7A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：110W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

IRFSZ24具备多项优异的电气性能和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。
　　其次，该器件具有较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作，适用于恶劣的工作条件。
　　此外，IRFSZ24采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，有助于降低器件的工作温度，延长使用寿命。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
　　最后，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。

应用

IRFSZ24主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。
　　在开关电源中，IRFSZ24可用于高效能的功率转换，提高电源的效率和稳定性。
　　在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少热量产生。
　　在电机驱动应用中，IRFSZ24能够提供稳定的电流输出，确保电机运行的平稳性和可靠性。
　　此外，该器件也常用于太阳能逆变器、UPS系统和电动工具等需要高效功率管理的场合。