类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：3.7 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：14 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：1.0 Ω 最大值
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：1.3 Ω 最大值
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：360 pF @ 25 V VDS
　　输出电容（Coss）：95 pF @ 25 V VDS
　　反向恢复时间（trr）：54 ns
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 ~ +150 °C
　　封装：TO-220AB

IRFS840的特性之一是其基于英飞凌先进沟槽栅技术的优化设计，这种结构显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。在高电压应用中，较低的RDS(on)意味着更少的能量以热量形式耗散，这不仅延长了器件寿命，也减少了对复杂散热系统的依赖。该器件在VGS=10V时RDS(on)最大仅为1.0Ω，在VGS=4.5V时为1.3Ω，表明其在标准逻辑电平驱动下也能有效工作，兼容多种驱动电路。
　　另一个关键特性是其高达500V的漏源击穿电压（BVDSS），使其非常适合用于离线式开关电源、AC-DC转换器和工业控制系统等高压场合。即使在输入电压波动较大的环境中，IRFS840也能维持稳定的性能表现。同时，其具备良好的dv/dt抗扰能力，有助于防止因电压突变引发的误触发问题。
　　该MOSFET还展现出优异的开关特性，包括较低的输入和输出电容（Ciss=360pF, Coss=95pF），这有助于减少开关过程中的充放电损耗，提升开关频率上限。配合快速的反向恢复时间（trr=54ns），可有效降低与体二极管相关的能量损耗，特别适用于硬开关拓扑如反激式、正激式或半桥电路。
　　在可靠性方面，IRFS840经过严格测试，具备较强的抗雪崩能力，能够在发生意外过压或电感负载突变时承受一定的能量冲击而不损坏。其坚固的栅极氧化层设计支持±30V的栅源电压范围，增强了对静电放电（ESD）和瞬态电压尖峰的耐受性。此外，TO-220AB封装提供了良好的热传导路径，允许通过外部散热器将热量有效传递出去，确保长时间高负载运行下的稳定性。

IRFS840常被用于多种中等功率电力电子系统中，尤其是在需要高电压操作和高效能转换的应用场景。一个典型的应用是离线式开关电源（SMPS），例如适配器、充电器和LED驱动电源，其中该MOSFET作为主开关元件，在反激或正激拓扑中执行能量传输功能。其500V的额定电压足以应对全球通用交流输入（85–265V AC）经整流后的高压直流母线，而低导通电阻则有助于提高轻载和满载条件下的整体效率。
　　在DC-DC转换器中，IRFS840可用于升压（Boost）、降压（Buck）或隔离型拓扑结构，特别是在工业电源模块中发挥重要作用。其快速开关特性和低寄生参数使得在较高频率下运行成为可能，从而减小磁性元件体积，实现系统小型化。
　　此外，该器件也广泛应用于电机驱动电路，如小型直流电机或步进电机的H桥控制，利用其快速响应能力和高电流切换能力实现精确的速度和方向控制。在照明系统中，尤其是高压钠灯或金卤灯电子镇流器中，IRFS840用于构建谐振变换器，提供启动和稳态运行所需的高频高压信号。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统以及各类工业自动化设备中的功率开关模块。由于其具备良好的热稳定性和长期可靠性，IRFS840也适合部署在环境温度变化剧烈或空间受限的封闭式设备中。

SPW20N50C3, FQA3P10, STP3NK50Z, 2SK3569, IRFP450