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IRFS7734TRL7PP 发布时间 时间:2025/7/15 18:05:24 查看 阅读:7

IRFS7734TRL7PP 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的封装技术,具有低导通电阻、高可靠性和出色的热性能,适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备等领域。

参数

类型:N 沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):150A(Tc=25°C)
  功耗(Pd):230W
  导通电阻(Rds(on)):最大值 1.8mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:PowerPAK? SO-8 双面散热

特性

IRFS7734TRL7PP 的关键特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗,提高整体系统效率。
  此外,该器件采用了 PowerPAK? SO-8 封装技术,具备双面散热能力,显著提升了热管理性能,特别适合在空间受限且需要高效散热的设计中使用。
  该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力,增强了在异常工况下的可靠性与稳定性。
  其栅极驱动电压范围宽广(支持 4.5V 至 20V),兼容多种驱动电路设计,便于在不同应用场景中实现最佳性能。
  此外,IRFS7734TRL7PP 还具备快速开关速度,有助于减少开关损耗,适用于高频开关电源设计。

应用

IRFS7734TRL7PP 广泛应用于各类电力电子系统中,如同步整流 DC-DC 转换器、多相 VRM(电压调节模块)、服务器和电信电源系统、电池保护电路、电机驱动器以及高性能计算设备中的功率管理单元。
  其优异的热性能和电气性能也使其成为汽车电子系统(如车载充电器和DC-DC转换器)的理想选择。
  在工业自动化和控制系统中,该器件常用于高电流负载开关和继电器替代方案,以提高系统的响应速度和能效。

替代型号

[
   "IRFS7734TRLPBF",
   "SiRA34DP-T1-E3",
   "FDMS7618"
  ]

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IRFS7734TRL7PP参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)197A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.05 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)270 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10130 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)294W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-7
  • 封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)