时间：2025/12/26 20:01:27
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IRFS7534-7P是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchStop技术制造，专为高效率和高功率密度的应用设计。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效能功率开关的场合。IRFS7534-7P封装在PG-TSDSON-8封装中，具有低热阻特性，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。其优化的栅极设计降低了开关损耗，同时提高了抗噪能力和系统可靠性。该MOSFET特别适合工作在高频开关环境下的电源管理系统，能够在宽温度范围内保持优异的电气性能。由于其小型化封装和卓越的电气特性，IRFS7534-7P非常适合空间受限但对性能要求较高的现代电子设备。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。通过集成先进的工艺技术和严格的品质控制流程，IRFS7534-7P在可靠性和耐用性方面表现出色，是工业、消费类及通信领域中理想的功率开关解决方案之一。
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：120A
脉冲漏极电流(Idm)：360A
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：最大4.7mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：最大6.2mΩ @ Vgs=4.5V
阈值电压(Vgs(th))：典型值1.7V，范围1.3V至2.3V
输入电容(Ciss)：典型值3300pF @ Vds=15V
输出电容(Coss)：典型值970pF @ Vds=15V
反向恢复时间(trr)：典型值27ns
栅极电荷(Qg)：典型值65nC @ Vgs=10V
功耗(Pd)：典型值87W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：PG-TSDSON-8
IRFS7534-7P采用了英飞凌领先的TrenchStop 7技术，显著降低了导通损耗与开关损耗之间的折衷矛盾，从而实现了更高的整体效率。该器件在低VGS_TH设计基础上进一步优化了动态性能，使其在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。其超低的Rds(on)值确保了在大电流应用下仍能维持较低的导通损耗，有助于提升系统能效并减少散热需求。
该MOSFET具备出色的热稳定性，得益于PG-TSDSON-8封装的低热阻特性（Rth(j-mb)典型值仅为1.2K/W），可实现高效的板级散热，避免局部过热问题。此外，其封装结构支持双面散热设计，在高功率密度PCB布局中尤为有利。
IRFS7534-7P具有良好的抗雪崩能力，经过严格测试验证，可在非钳位感性负载条件下安全工作，增强了系统的鲁棒性。其栅极结构经过优化，降低了米勒效应影响，提升了抗干扰能力，减少了误触发风险。
该器件还具备优异的体二极管性能，反向恢复电荷（Qrr）较低且一致性好，有助于降低反向恢复损耗，尤其适用于同步整流等对体二极管性能敏感的应用场景。同时，其快速的开关速度配合精确可控的栅极电荷特性，使得PWM控制更加精准，有利于实现高频化电源设计。
总体而言，IRFS7534-7P不仅在静态参数上表现优越，更在动态行为、热管理、可靠性和系统兼容性方面进行了全面优化，是一款面向下一代高效电源系统的先进功率MOSFET产品。
IRFS7534-7P广泛用于各类高效率电源转换系统中。典型应用包括服务器电源、电信整流器、工业用DC-DC降压变换器以及电池管理系统中的功率开关模块。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为多相VRM（电压调节模块）的理想选择，可用于为高性能CPU或GPU提供稳定供电。
在电机控制领域，该器件适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服控制系统，特别是在需要紧凑设计和高响应速度的场合。其快速开关特性有助于实现精确的PWM调速控制，并降低电机运行时的发热损耗。
此外，IRFS7534-7P也常用于太阳能微逆变器、LED驱动电源以及便携式大功率充电设备中，满足对小型化和高能效的双重需求。在汽车电子辅助系统中，如车载DC-DC转换器或ADAS供电单元，该器件亦展现出良好的适应性。
由于其支持表面贴装自动化生产，因此非常适合大规模SMT生产线使用，提升了制造效率和产品一致性。无论是消费类电子产品还是工业级设备，只要涉及高效、高密度功率开关的需求，IRFS7534-7P都能提供可靠的解决方案。
IRLHS7534-7P
IRFSL7534-7P
BSC059N03LS G
