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IRFS7530TRLPBF 发布时间 时间:2025/5/22 23:01:09 查看 阅读:18

IRFS7530TRLPBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造。该器件主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、同步整流电路以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  这款MOSFET采用了先进的薄晶圆技术和优化的单元设计,以实现低导通电阻和高效率。其封装形式为TO-252 (DPAK),具有良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:16nC(典型值)
  输入电容:1290pF(典型值)
  总热阻(结到壳):45°C/W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

IRFS7530TRLPBF具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 较低的栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss),适合高频应用。
  3. 高电流处理能力,能够满足大功率应用的需求。
  4. 符合RoHS标准,环保无铅。
  5. 封装结构紧凑,适合空间受限的设计。
  6. 良好的热性能,能够承受较高的结温。

应用

该MOSFET广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. DC-DC转换器中的功率开关。
  4. LED驱动器中的功率控制元件。
  5. 各类工业和消费电子设备中的负载开关或保护电路。
  由于其低导通电阻和高频性能,IRFS7530TRLPBF特别适合追求高效率和小型化的应用。

替代型号

IRL7530TRPBF, IRF7530TRPBF

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IRFS7530TRLPBF参数

  • 现有数量14,888现货
  • 价格1 : ¥27.11000剪切带(CT)800 : ¥16.98685卷带(TR)
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)195A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)411 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13703 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-2
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB