IRFS7530TRLPBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造。该器件主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、同步整流电路以及其他需要高效功率转换的应用场景。
这款MOSFET采用了先进的薄晶圆技术和优化的单元设计,以实现低导通电阻和高效率。其封装形式为TO-252 (DPAK),具有良好的散热性能。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:38A
导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:16nC(典型值)
输入电容:1290pF(典型值)
总热阻(结到壳):45°C/W
工作温度范围:-55°C至+175°C
IRFS7530TRLPBF具备以下特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 较低的栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss),适合高频应用。
3. 高电流处理能力,能够满足大功率应用的需求。
4. 符合RoHS标准,环保无铅。
5. 封装结构紧凑,适合空间受限的设计。
6. 良好的热性能,能够承受较高的结温。
该MOSFET广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. LED驱动器中的功率控制元件。
5. 各类工业和消费电子设备中的负载开关或保护电路。
由于其低导通电阻和高频性能,IRFS7530TRLPBF特别适合追求高效率和小型化的应用。
IRL7530TRPBF, IRF7530TRPBF