时间：2025/9/20 2:19:52
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SBE801-TL/SB是一款由Diodes Incorporated生产的单极n沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽型技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要设计用于负载开关、电源管理以及信号切换等应用场合。SBE801-TL/SB封装在小型SOT-23（SC-59）封装中，适合对空间要求较高的便携式电子设备使用。该MOSFET的栅极阈值电压较低，可直接由逻辑电平驱动，适用于3.3V或5V控制系统。其主要优势在于高集成度、低功耗以及良好的热稳定性，能够满足消费类电子产品、通信设备及便携式设备中的高效能需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和长期供货能力，广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块及其他需要紧凑型功率开关解决方案的设计中。
该器件的关键性能指标包括漏源击穿电压、连续漏极电流、导通电阻以及栅极电荷等参数，这些参数决定了其在实际电路中的适用范围与效率表现。SBE801-TL/SB通过优化芯片结构，在保持小尺寸的同时实现了优异的电气性能，使其成为许多低压开关应用的理想选择。
型号：SBE801-TL/SB
类型：n沟道MOSFET
封装：SOT-23 (SC-59)
制造商：Diodes Incorporated
极性：n沟道
漏源电压（VDS）：80 V
连续漏极电流（ID）：100 mA @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：400 mA
导通电阻（RDS(on)）：6.5 Ω @ VGS = 10 V；8.5 Ω @ VGS = 4.5 V
栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
栅极电荷（Qg）：典型值为3.5 nC
输入电容（Ciss）：约120 pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
功率耗散（PD）：300 mW
SBE801-TL/SB采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够在较小的芯片面积上实现更低的导通电阻和更高的载流能力。其核心优势之一是具备非常低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为6.5Ω，而在常见的逻辑电平驱动条件下（如VGS=4.5V），RDS(on)也仅为8.5Ω，这使得它在电池供电设备中能够有效减少功率损耗，提高系统整体能效。由于其低导通电阻特性，即使在微小电流负载下也能保持较高的开关效率，特别适合作为负载开关或电源路径控制元件使用。
另一个显著特点是其栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，这意味着它可以轻松被3.3V甚至更低的逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了成本。这对于现代低电压、低功耗的嵌入式系统尤为重要。同时，该器件具有较快的开关响应速度，得益于较低的栅极电荷（Qg典型值为3.5nC）和输入电容（Ciss约120pF），可以在高频开关应用中表现出色，减少开关过程中的能量损失。
热性能方面，SBE801-TL/SB的最大结温可达+150°C，具备良好的热稳定性和可靠性。尽管其封装为小型SOT-23，但在适当的PCB布局和散热设计下仍可承受一定的功率耗散（最大300mW）。此外，该器件具有优良的抗静电能力（ESD保护）和稳健的制造工艺，确保在自动化贴片和回流焊过程中保持高良率。整体而言，SBE801-TL/SB以其小巧体积、高性能参数和广泛的兼容性，成为众多低压开关应用中的优选方案。
SBE801-TL/SB广泛应用于各类便携式电子设备中，主要用于电源开关、负载切换、信号路由以及电池管理系统等领域。在智能手机和平板电脑中，常用于控制不同功能模块的供电通断，例如摄像头模组、Wi-Fi/蓝牙模块或传感器单元的电源管理，以实现按需供电、降低待机功耗的目的。此外，在USB接口电源控制电路中，可用于过流保护和热插拔管理，防止因异常负载导致主电源崩溃。
在工业和消费类电子产品中，该器件也可作为LED驱动电路中的开关元件，尤其是在低电流指示灯或背光控制场景中表现良好。由于其具备良好的开关特性和低静态功耗，因此非常适合用于需要频繁启停的控制系统，如IoT终端设备、无线传感器节点和远程监控装置等。在电源多路复用器设计中，SBE801-TL/SB可用于选择不同的输入电源路径（如USB供电与电池供电之间的切换），实现无缝电源切换功能。
此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路中的低端开关，特别是在微型直流电机或步进电机的控制中，配合PWM调制实现精确的速度调节。在测试测量仪器和数据采集系统中，也可作为模拟开关或采样保持电路的一部分，提供快速且可靠的信号通断控制。总之，凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性，SBE801-TL/SB适用于任何需要紧凑型、高效能n沟道MOSFET的应用环境。
DMG8005SSS-7
AO3400A
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