时间：2025/12/29 15:05:09
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IRFS7430 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 OptiMOS? 系列产品。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、优异的热性能和高可靠性。IRFS7430 采用先进的沟槽技术，使其在低电压应用中具备出色的性能表现，广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机控制、电池管理系统以及服务器电源等领域。
类型：N沟道MOSFET
封装类型：PowerPAK SO-8
最大漏极电流（Id）：150A（在Tc=100℃）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值2.9mΩ（当Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电荷（Qg）：78nC（典型值，Vgs=10V）
输入电容（Ciss）：2070pF（典型值，Vds=15V）
IRFS7430 具备多项优异的电气和热性能特性，首先其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用英飞凌的 OptiMOS? 技术，优化了导通和开关损耗之间的平衡，适用于高频开关应用。
此外，IRFS7430 采用 PowerPAK SO-8 封装，具有出色的热管理能力，能够在高电流条件下保持稳定运行，并有效散热。这种封装形式也节省了 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5V 到 20V 之间），支持与多种驱动器兼容，包括低电压控制器和专用驱动 IC。其高耐压能力和优异的雪崩能量耐受性能，也增强了器件在高应力环境下的可靠性。
另外，IRFS7430 的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低开关损耗，提高系统整体效率。同时，其快速的开关特性使其适用于高频率操作的电源转换应用，如同步整流和 DC-DC 转换器。
IRFS7430 主要应用于需要高效能功率管理的各类电子系统中。典型应用包括服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）以及工业自动化控制系统。
在服务器和数据中心电源系统中，IRFS7430 可作为高侧或低侧开关使用，提供高效的能量转换和稳定的性能表现。
在电机控制应用中，该器件可用于 H 桥电路或半桥拓扑，实现对电机的高效控制。
此外，由于其优异的导通和开关特性，IRFS7430 也广泛用于高频电源变换器和负载开关电路中，以提升整体系统效率和可靠性。
SiZ104DT, CSD17551Q5A, FDS6680, IRF6604, IPB013N04NG
