IRFS641 时间：2025/12/29 15:12:51 阅读：12

IRFS641 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率、高频开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。IRFS641 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器以及各种高功率电子系统中。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：52A（Tc=25℃）
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.027Ω（当 VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-220AB

特性

IRFS641 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，适合高频开关应用，有助于减少开关损耗。
　　其高电流承载能力和良好的热性能使其在高功率应用中表现出色。此外，IRFS641 的封装设计具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　该 MOSFET 还具备出色的耐用性和抗短路能力，能够在恶劣工作环境下保持稳定运行。其栅极结构设计可有效防止静电击穿，提高器件的可靠性。
　　IRFS641 适用于各种电源管理系统，包括同步整流、电池充电器、负载开关和功率因数校正电路。

应用

IRFS641 主要应用于高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器和不间断电源（UPS）系统。它也常用于工业自动化控制、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及各种需要高效功率管理的电子设备中。
　　在电机控制应用中，IRFS641 可用于 H 桥驱动电路，实现电机的双向控制。在电池管理系统中，它可以作为高侧或低侧开关，控制电池的充放电过程。
　　由于其优异的导通和开关性能，IRFS641 也适用于需要高效率和低损耗的同步整流电路中。此外，在功率因数校正（PFC）电路中，该器件能够有效提高电源的功率因数，减少谐波干扰。