时间：2025/12/29 14:53:35
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IRFS631是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies公司生产。该器件专为高功率和高频应用设计，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路中。IRFS631采用TO-220封装，具备良好的热性能和耐用性，适合工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
连续漏极电流（ID）：4.3A
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
IRFS631的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度和高可靠性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下具有较低的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET具有宽泛的工作温度范围，可在极端环境下稳定工作。TO-220封装提供良好的散热能力，使得该器件在高功率应用中保持较低的结温，延长使用寿命。
IRFS631还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过载条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和安全性。
IRFS631广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关和工业控制电路。其高耐压能力和低导通电阻使其在电源管理应用中表现出色，同时适用于需要高可靠性和稳定性的工业设备。
IRF830, IRF630, IRFS621
