IRFS623 时间：2025/12/29 15:00:25 阅读：16

IRFS623是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高功率开关应用而设计，广泛用于电源转换器、马达控制、电池充电器、逆变器以及各种工业和汽车电子系统中。IRFS623采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及优异的热性能，使其在高电流和高频率工作条件下仍能保持稳定性能。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：200V
　　漏极电流（ID）：3.3A（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.75Ω @ VGS = 10V
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK（表面贴装）

特性

IRFS623具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（200V）使其适用于中高功率电源系统。IRFS623还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压和过电流，从而增强系统的可靠性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波器和变压器的尺寸。IRFS623的封装设计具备良好的热传导性能，可有效将热量传导至散热片或PCB上，提升整体散热效率。在工作温度方面，IRFS623可在极端温度条件下稳定运行，适应工业和汽车环境的严苛要求。

应用

IRFS623常用于多种高功率电子系统中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、电池管理系统、UPS不间断电源、工业自动化设备以及车载充电系统。其高耐压和低导通电阻特性使其在功率因数校正（PFC）电路和同步整流器中表现优异。此外，该器件也可用于太阳能逆变器和LED照明驱动电源等应用。