IRFS620 时间：2025/12/29 14:42:16 阅读：13

IRFS620是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率电子应用。这款MOSFET设计用于高效率、高可靠性和高功率密度的应用场景，例如电源转换器、电机控制和照明系统。IRFS620采用TO-220封装，具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：11A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：94W

特性

IRFS620具有低导通电阻的特点，这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。该器件能够在较高的开关频率下工作，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和逆变器。此外，IRFS620具备较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　其栅极驱动设计简化了MOSFET的控制，同时提供了良好的抗干扰能力。IRFS620还具备快速的开关特性，减少了开关损耗，从而进一步提高了系统的效率。此外，该器件的封装设计确保了良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导到外部散热器。

应用

IRFS620广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、电机驱动、照明系统以及工业自动化设备。在电源管理方面，IRFS620可以用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，提供高效的能量转换。在电机控制中，它能够用于H桥电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　此外，IRFS620也常用于逆变器和变频器等电力电子设备中，作为关键的功率开关元件。由于其较高的可靠性和效率，该器件也适合用于汽车电子系统、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统。