时间：2025/8/13 21:24:18
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EMB70N08V 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高电流和高功率应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业设备等领域。EMB70N08V采用先进的工艺制造，以确保在高频开关条件下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
连续漏极电流（Id）：70A
导通电阻（Rds(on)）：最大10.5毫欧（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
EMB70N08V 具有低导通电阻的特性，使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。此外，该器件的高耐压能力和大电流承载能力使其适用于高功率密度的设计。该MOSFET还具有良好的热稳定性和快速开关性能，适用于高频开关电源和电机驱动应用。
EMB70N08V 还具备过热保护和过电流保护的特性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其高可靠性和耐用性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。同时，该器件的封装设计便于散热，能够有效降低系统温度，延长使用寿命。
EMB70N08V 常用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制器、电池充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及汽车电子系统等高功率应用场合。其优异的电气性能和可靠性使其成为高性能电源设计中的关键元件。
IRF3710, STP70NF75, FDP70N08
