IRFS5620 时间：2025/12/26 18:57:33 阅读：9

IRFS5620是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能功率MOSFET晶体管，采用先进的沟槽式场截止技术（TrenchStop?），专为高效率开关电源应用设计。该器件属于N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。IRFS5620广泛应用于DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、电机驱动电路以及光伏逆变器等电力电子系统中。其封装形式为TO-247-3，具备良好的散热性能，适合在高功率密度场景下使用。该MOSFET能够在较高的漏源电压下工作，最大额定值为650V，确保在高压环境中仍能保持稳定运行。此外，器件内部未集成续流二极管，因此在需要反向电流路径的应用中需外接快恢复或肖特基二极管。由于采用了优化的硅片设计，IRFS5620在降低开关损耗的同时也减少了栅极电荷和输出电容，从而提升了整体能效并降低了温升。这款器件符合RoHS环保标准，并通过了工业级可靠性测试，适用于严苛的工作环境。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：28A
　　连续漏极电流（Idc）：28A
　　脉冲漏极电流（Idm）：112A
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　导通电阻Rds(on)：max 95mΩ @ Vgs=10V, Id=14A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0V ~ 6.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值 3800pF @ Vds=25V
　　输出电荷（Qoss）：典型值 150nC @ Vds=480V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247-3

特性

IRFS5620的核心优势在于其基于TrenchStop?技术的先进沟槽结构设计，这种设计显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系，使器件在高频开关条件下依然能够维持高效率。其低Rds(on)特性有助于减少传导过程中的能量损失，进而提升电源系统的整体能效。
　　该MOSFET具备优异的热性能，得益于TO-247封装的大面积金属背板，可有效将热量传导至散热器，避免因局部过热导致性能下降或失效。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的驱动功率更小，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动芯片的成本与复杂度。
　　器件的高击穿电压能力使其适用于多种离线式电源拓扑，如LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）和双有源桥（DAB）等，在这些应用中，MOSFET经常面临瞬态高压冲击，而IRFS5620的650V耐压足以应对大多数工况。
　　此外，该器件表现出良好的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关（UIS）事件中承受一定的能量冲击，增强了系统在异常状态下的鲁棒性。其快速的开关响应时间也有助于减小死区时间，提高PWM控制精度。
　　由于缺乏集成体二极管，用户可根据具体需求选择最优的外部续流元件，实现更灵活的设计配置。例如，在同步整流应用中，可以搭配低正向压降的肖特基二极管或另一颗MOSFET进行同步控制，以进一步优化效率表现。

应用

IRFS5620广泛用于各类高功率密度、高效率要求的电力电子设备中。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS），特别是那些采用半桥、全桥或LLC谐振拓扑的AC-DC转换器，其中该器件常作为主开关管使用，负责高频能量传输与调节。
　　在太阳能光伏逆变器系统中，IRFS5620可用于DC-AC转换阶段的H桥电路，实现直流侧能量向电网的高效馈送。其高耐压和低损耗特性特别适合处理光伏阵列输出的宽范围直流电压。
　　此外，它还常见于服务器电源、电信整流器、UPS不间断电源以及电动汽车车载充电机（OBC）等高端电源模块中。在这些应用中，对可靠性和长期稳定性要求极高，而IRFS5620凭借其坚固的结构设计和成熟的制造工艺，能够满足长时间连续运行的需求。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于中等功率的三相逆变器或H桥驱动电路，驱动永磁同步电机（PMSM）或直流无刷电机（BLDC）。其快速开关能力和良好热管理支持动态负载变化下的稳定输出。
　　另外，由于其出色的动态性能，也适用于高频DC-DC变换器，如隔离型推挽或正激拓扑，尤其在需要软开关技术的场合下，能有效降低电磁干扰（EMI）并提升转换效率。