类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：9.7 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：37 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：4.3 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：5.3 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V VGS：11 nC
　　输入电容（Ciss）：670 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：7 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18 ns
　　反向恢复时间（trr）：17 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 150 °C
　　封装类型：PowerSO-8 (PG-TSDSON-8)

IRFS5615采用了英飞凌先进的OptiMOS?技术，这种基于沟道栅极结构的设计显著降低了导通损耗和开关损耗，从而在低电压功率转换应用中实现了更高的能效。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = 10 V时仅为4.3 mΩ，在同类产品中处于领先水平，这直接减少了传导过程中的I2R损耗，提升了系统效率，尤其是在大电流输出场景下效果更为明显。
　　此外，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg = 11 nC），这意味着驱动电路所需的能量更少，不仅降低了驱动损耗，还允许使用更小的驱动器IC或简化驱动电路设计，进一步节省成本和空间。同时，低输入电容（Ciss = 670 pF）也有助于减少高频开关时的动态损耗，使其非常适合用于高频DC-DC变换器，例如用于笔记本电脑主板、服务器电源或FPGA供电的多相 buck 转换器。
　　IRFS5615的封装采用PowerSO-8，即PG-TSDSON-8，这是一种无引线的小型表面贴装封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至地层，实现高效的热管理。相比传统SO-8封装，该封装具有更低的热阻和更优的电气性能，有效抑制了寄生电感的影响，提高了开关速度并减少了电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路性能，能够在瞬态过压或负载突变的情况下保持稳定运行。其工作结温范围从-55°C到+150°C，适应严苛环境下的应用需求。此外，器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（视具体版本而定），可用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。整体而言，IRFS5615是一款集高性能、高集成度和高可靠性于一体的先进功率MOSFET，适用于现代高效节能电源系统的设计。

IRFS5615主要用于需要高效率、小尺寸和高功率密度的电源管理系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压（buck）转换器，特别是在多相供电架构中作为上管或下管使用，常见于CPU、GPU、ASIC或FPGA的核心电压调节模块（VRM）。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其在高频开关条件下仍能保持较低的总损耗，从而提升电源转换效率。
　　该器件也广泛应用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备和移动电源中的负载开关和电源路径管理，能够有效降低待机功耗和运行损耗，延长电池续航时间。此外，在电机驱动电路中，IRFS5615可用于H桥拓扑结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，适用于小型家电、无人机电调和自动化控制系统。
　　在通信基础设施领域，该MOSFET可用于基站电源模块、光模块内部的电源转换电路以及PoE（以太网供电）接收端的整流开关。其小型化封装特别适合空间受限的高密度PCB设计，有利于实现轻薄化和微型化的产品形态。工业电源、LED驱动电源和USB PD快充适配器也是其重要的应用方向。得益于其优异的热性能和电气特性，IRFS5615在各类中低功率开关电源中展现出强大的竞争力。

IRLHS5615PBF
　　IRLML6615TRPBF
　　BSC052N03MSG