时间：2025/8/14 13:19:56
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S110T/R 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。这款 MOSFET 以其高效率和快速开关性能著称，适用于各种中低功率的 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压 (Vds)：100V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：110A（在 25°C）
导通电阻 (Rds(on))：1.2mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
S110T/R 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。其低 Rds(on) 特性使得在高电流应用中功耗更低，从而提高了整体效率。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在严苛的工作环境下稳定运行。S110T/R 的封装设计有助于散热，使其在高功率应用中表现出色。此外，该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提高系统效率。
S110T/R 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池充电器、负载开关以及各种电源管理模块。由于其高可靠性和高效率，该器件也适用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制部分。
SiS110N10T、IRF110N10D、IPD110N10N3G1
