IRFS4310ZPBF是英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件主要用于高效率、低功耗的开关应用中,例如电源适配器、笔记本电脑电源、工业电源以及电机驱动等领域。
这款MOSFET以其低导通电阻和快速开关速度为特点,能够显著降低功率损耗,提升系统整体性能。此外,其优化的热设计使其能够在较高的结温下工作,增强了系统的可靠性和稳定性。
型号:IRFS4310ZPBF
封装:DPAK (TO-252)
Vds(漏源极电压):40V
Rds(on)(导通电阻,典型值):6.5mΩ
Id(连续漏极电流):59A
Vgs(栅源电压):±20V
Qg(栅极电荷):7nC
fT(截止频率):3.6MHz
Tj(结温范围):-55℃至+175℃
IRFS4310ZPBF是一款高效的功率MOSFET,其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为6.5mΩ,有助于减少导通损耗并提高能效。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷(Qg=7nC),使开关损耗得以降低。
3. 支持高达59A的连续漏极电流,适用于大电流应用场景。
4. 工作电压范围广(40V Vds),适合多种低压电源应用。
5. 高达175℃的结温能力,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
6. DPAK封装具有良好的散热性能,简化了PCB布局设计。
IRFS4310ZPBF广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
2. DC-DC转换器中的高效开关元件。
3. 笔记本电脑和其他便携式设备的充电管理。
4. 工业控制中的电机驱动和负载切换。
5. 电信和网络设备中的电源模块。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5580
IXYS IXTH58N06P3