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IRFS4310ZPBF 发布时间 时间:2025/6/25 8:38:59 查看 阅读:3

IRFS4310ZPBF是英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件主要用于高效率、低功耗的开关应用中,例如电源适配器、笔记本电脑电源、工业电源以及电机驱动等领域。
  这款MOSFET以其低导通电阻和快速开关速度为特点,能够显著降低功率损耗,提升系统整体性能。此外,其优化的热设计使其能够在较高的结温下工作,增强了系统的可靠性和稳定性。

参数

型号:IRFS4310ZPBF
  封装:DPAK (TO-252)
  Vds(漏源极电压):40V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):6.5mΩ
  Id(连续漏极电流):59A
  Vgs(栅源电压):±20V
  Qg(栅极电荷):7nC
  fT(截止频率):3.6MHz
  Tj(结温范围):-55℃至+175℃

特性

IRFS4310ZPBF是一款高效的功率MOSFET,其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为6.5mΩ,有助于减少导通损耗并提高能效。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷(Qg=7nC),使开关损耗得以降低。
  3. 支持高达59A的连续漏极电流,适用于大电流应用场景。
  4. 工作电压范围广(40V Vds),适合多种低压电源应用。
  5. 高达175℃的结温能力,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  6. DPAK封装具有良好的散热性能,简化了PCB布局设计。

应用

IRFS4310ZPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
  2. DC-DC转换器中的高效开关元件。
  3. 笔记本电脑和其他便携式设备的充电管理。
  4. 工业控制中的电机驱动和负载切换。
  5. 电信和网络设备中的电源模块。
  6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP5580
  IXYS IXTH58N06P3

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IRFS4310ZPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6860pF @ 50V
  • 功率 - 最大250W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件