制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　系列：CY7C1360S
　　产品类型：Sync SRAM
　　存储容量：2.25 Mbit (64K x 36)
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作频率：最高166 MHz
　　访问时间：6 ns
　　接口类型：并行，同步
　　数据总线宽度：36 位
　　封装类型：165-ball FBGA (11×15 mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数：165
　　时钟频率：DC to 166 MHz
　　输入电平：LVTTL
　　刷新类型：无需刷新
　　写入模式：突发写入 / 单字写入
　　控制信号：ADV#, CLK, CE#, OE#, WE#, BWE#, GW#
　　封装代码：BZXI
　　包装方式：卷带包装

CY7C1360S-166BZXI具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统和通信基础设施中的理想选择。首先，其同步架构确保所有操作均与时钟信号严格同步，在每个时钟上升沿进行地址、数据和控制信号的锁存，从而消除了异步SRAM中存在的不确定性和时序漂移问题，提升了系统整体稳定性。其次，该器件支持无限制突发（unlimited burst）模式，允许在初始地址加载后自动递增地址指针，连续传输任意数量的数据字，极大提高了数据吞吐率，特别适用于视频处理、数据缓冲和DMA传输等大数据量应用场景。
　　另一个重要特性是其灵活的写入控制机制。CY7C1360S-166BZXI提供全局写使能（GW#）和字节写使能（BWE#）信号，允许用户以字节为单位精确控制哪些数据位被写入存储器，避免不必要的数据覆盖，提升系统安全性与效率。同时，该器件支持流水线读写操作，能够在同一时钟周期内完成新指令的发出与前一操作的结果输出，实现真正的零等待状态运行，最大限度地利用总线带宽。
　　低功耗设计也是该芯片的一大亮点。在空闲状态下，通过使能芯片使能（CE#）信号进入待机模式，核心电路将被关闭，显著降低静态功耗；而在活跃工作期间，优化的CMOS工艺保证了动态功耗处于合理水平。此外，所有I/O引脚均具备三态缓冲功能，支持多设备共享总线架构，减少信号冲突风险。
　　该器件还集成了同步复位功能（由RST#/INIT#引脚控制），可在上电或异常情况下强制清除内部状态，确保系统从已知状态启动。其LVTTL兼容输入输出接口简化了与其他数字逻辑器件的连接，并支持高达166MHz的持续数据速率，满足高速处理器协处理需求。最后，FBGA封装不仅节省空间，而且具有优良的电气性能和散热能力，适合在紧凑型高端电子设备中长期可靠运行。

CY7C1360S-166BZXI广泛应用于各类需要高速、低延迟数据存储的电子系统中。典型应用包括网络通信设备如千兆以太网交换机、路由器和光纤传输模块，其中用作报文缓冲区或查找表缓存，以应对突发流量并保障服务质量（QoS）。在电信基础设施中，该器件可用于基站信号处理单元，承担实时数据暂存任务，支持高采样率下的信号采集与预处理。
　　此外，该SRAM也常见于测试与测量仪器，例如逻辑分析仪、示波器和自动化测试设备（ATE），用于高速采集和临时存储大量测试数据流。在工业控制领域，它可以作为PLC或运动控制器中的高速数据缓冲区，配合DSP或FPGA实现精准的实时控制算法执行。
　　由于其36位宽数据总线的设计，CY7C1360S-166BZXI特别适合与32位或更宽的微处理器、数字信号处理器（DSP）及现场可编程门阵列（FPGA）协同工作，常用于图像处理系统、雷达信号处理平台以及航空航天电子系统中，作为帧缓冲或中间计算结果存储介质。
　　在高端消费类电子产品中，尽管成本较高，但在某些专业级音视频设备中仍有应用，例如广播级视频编辑设备或高帧率摄像系统，用于存储未压缩的视频帧数据。总之，任何需要高带宽、确定性响应和可靠数据保持能力的系统都可以考虑采用CY7C1360S-166BZXI作为其关键存储组件。

CY7C1360D-166BZXC
　　IS61WV102436BLL-15BLI
　　MT58LC25636K-15T2G
　　CY7C1365C-166BZXC